公开(公告)号：CN117867575A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410052937.7

申请日：2024-01-15

申请人： 杭州师范大学

发明人： 徐伟明 ,  朱奕臻 ,  张远垚 ,  潘钺柠 ,  章鹏飞 ,  范智伟

IPC分类号： C25B11/091 ,  C25B11/052 ,  C25B11/031 ,  C25B3/07

摘要： 本发明属于电化学材料技术领域，具体涉及一种N‑W修饰泡沫镍电极及其制备方法和应用。本发明提供的N‑W修饰泡沫镍电极，包括泡沫镍基体和负载在泡沫镍基体表面的含氮氧化膜，所述含氮氧化膜中含有金属氧化物和氮元素，所述金属氧化物包括氧化钨和氧化镍。钨具有大量的空轨道，可以接收来自镍元素的电子，这促进了更高的载流子浓度以更快的电子传输，能够有效解决水裂解反应中阳极产氧缓慢的动力学问题；钨氧化物具有高的理论电荷存储容量，氮能够提高本征电导率，促进了溶液中更快的离子扩散和转移，能够降低电极电势。同时本发明以N‑W修饰泡沫镍电极为阳极进行醇电催化氧化，阳极可将醇电催化氧化成酸，生产高附加值的产品。