-
公开(公告)号：CN1574278A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047613.7
申请日：2004-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，对于在周围电路形成部(31)中第一元件形成部(31a)、即应力变位区域(101)内所包含的活性区域(311)上形成的半导体元件不需进行电驱动，而只对在第二元件形成部(31b)、即应力稳定区域(102)内的半导体元件进行电驱动。这样，由于在周围电路形成部(31)的第二元件形成部(31b)与元件外侧STI区域(32)相隔一定距离，因而不易受到压缩应力的影响。因此，可以降低器件活性区域的边缘与其中心之间的应力差，防止由该应力差所导致的半导体元件的动作特性的变化。
-
公开(公告)号：CN1517703A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001447.7
申请日：2004-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N23/223
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚酯硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬性X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬性X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。
-
公开(公告)号：CN100401489C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410001447.7
申请日：2004-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚脂硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。
-
公开(公告)号：CN100463134C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410047613.7
申请日：2004-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，对于在周围电路形成部(31)中第一元件形成部(31a)、即应力变位区域(101)内所包含的活性区域(311)上形成的半导体元件不需进行电驱动，而只对在第二元件形成部(31b)、即应力稳定区域(102)内的半导体元件进行电驱动。这样，由于在周围电路形成部(31)的第二元件形成部(31b)与元件外侧STI区域(32)相隔一定距离，因而不易受到压缩应力的影响。因此，可以降低器件活性区域的边缘与其中心之间的应力差，防止由该应力差所导致的半导体元件的动作特性的变化。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
