公开(公告)号：CN106132695A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016562.8

申请日：2015-03-31

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 小渊礼子

IPC: B32B9/00 ,  H05B33/02

Abstract: 本发明涉及气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用其的电子设备及其制造方法。本发明的目的在于提供可使将保护膜(50)除去后的残存粘合剂的除去工序简化的气体阻隔性膜。气体阻隔性膜，是具有基材(55)、在基材(55)的一面上配置了的气体阻隔层(52)、和在气体阻隔层(52)上经由粘合层(51)而配置了的保护膜(50)的气体阻隔性膜(201)，其特征在于，气体阻隔层(52)通过对在基材(55)上涂布含有聚硅氮烷的涂布液、使其干燥而得到的涂膜照射活性能量线进行改性处理来形成，在将保护膜(55)剥离的状态下所测定的气体阻隔层(52)的最表层部的元素存在比C/Si为1.5以下。

公开(公告)号：CN106132695B

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201580016562.8

申请日：2015-03-31

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 小渊礼子

IPC: B32B9/00 ,  H05B33/02

Abstract: 本发明涉及气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用其的电子设备及其制造方法。本发明的目的在于提供可使将保护膜(50)除去后的残存粘合剂的除去工序简化的气体阻隔性膜。气体阻隔性膜，是具有基材(55)、在基材(55)的一面上配置了的气体阻隔层(52)、和在气体阻隔层(52)上经由粘合层(51)而配置了的保护膜(50)的气体阻隔性膜(201)，其特征在于，气体阻隔层(52)通过对在基材(55)上涂布含有聚硅氮烷的涂布液、使其干燥而得到的涂膜照射活性能量线进行改性处理来形成，在将保护膜(55)剥离的状态下所测定的气体阻隔层(52)的最表层部的元素存在比C/Si为1.5以下。

公开(公告)号：CN117063101A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024758.1

申请日：2022-03-10

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 小渊礼子 ,  伊藤博人

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明的拉伸膜为含有具有极性基团的环烯烃系树脂的拉伸膜，对上述拉伸膜的表面以0.1度的角度照射X射线时的衍射峰的半峰全宽为4.6～5.4度的范围内，且残留溶剂量为5～500质量ppm的范围内。

公开(公告)号：CN105899361A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580003895.7

申请日：2015-01-09

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 小渊礼子

IPC: B32B27/34 ,  B32B9/00

CPC classification number: C08J7/123 ,  C08J7/047 ,  C08J2379/08 ,  C08J2483/16

Abstract: 本发明提供可以适合应用于器件形成工序的气体阻隔性膜。气体阻隔性膜，其具有聚酰亚胺基材、和含有聚硅氮烷改性物质的气体阻隔层，上述聚酰亚胺基材及上述气体阻隔层的粘接强度为1.3N/cm以上。