公开(公告)号：CN102456772B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110321142.4

申请日：2011-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹内敏彦 ,  石川信 ,  村上由季

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶须集合体的制造方法，该晶须集合体的制造方法可以在未成膜种原子层的衬底上直接使不含有种原子的晶须集合体生长。在被形成衬底的对面配置种衬底，并且导入含有硅的气体进行减压化学气相淀积。被形成衬底的种类只要是能够承受进行减压化学气相淀积时的温度的衬底，没有特别的限制。可以使不含有种原子的硅晶须集合体接触于被形成衬底上而直接生长。再者，通过利用所形成的晶须集合体的表面形状特性，可以将形成有晶须集合体的衬底应用于太阳电池或锂离子二次电池等。

公开(公告)号：CN102456772A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110321142.4

申请日：2011-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹内敏彦 ,  石川信 ,  村上由季

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶须集合体的制造方法，该晶须集合体的制造方法可以在未成膜种原子层的衬底上直接使不含有种原子的晶须集合体生长。在被形成衬底的对面配置种衬底，并且导入含有硅的气体进行减压化学气相淀积。被形成衬底的种类只要是能够承受进行减压化学气相淀积时的温度的衬底，没有特别的限制。可以使不含有种原子的硅晶须集合体接触于被形成衬底上而直接生长。再者，通过利用所形成的晶须集合体的表面形状特性，可以将形成有晶须集合体的衬底应用于太阳电池或锂离子二次电池等。