公开(公告)号：CN110785469A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880040426.6

申请日：2018-08-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 韩智浩 ,  金塞拉 ,  宋文燮 ,  李光珠 ,  柳营任

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  B32B27/08 ,  B32B27/40 ,  B32B27/20 ,  H01B1/12 ,  C09J163/00

Abstract: 本发明涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法，所述切割管芯接合膜包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。

公开(公告)号：CN110785469B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201880040426.6

申请日：2018-08-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 韩智浩 ,  金塞拉 ,  宋文燮 ,  李光珠 ,  柳营任

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  B32B27/08 ,  B32B27/40 ,  B32B27/20 ,  H01B1/12 ,  C09J163/00

Abstract: 本发明涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法，所述切割管芯接合膜包括：基底；形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层；形成在所述抗静电层上的粘着层；以及形成在所述粘着层上的粘合层。