基于反射的RF移相器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108463948B9

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN201680077759.7

    申请日:2016-11-10

    申请人: 派赛公司

    IPC分类号: H03H7/20

    摘要: 可编程多反射移相器,其提供减小的均方根相位误差,可以针对期望的频带进行优化、可以补偿制造期间产生的工艺变化并且可以帮助弥补系统级性能不足。实施方式包括与具有多种不同配置的基于电抗的多反射终接电路相结合的混合耦合器(例如,兰格混合耦合器),所述多种不同配置允许各种操作模式,各种操作模式包括测温模式、具有间隙相移状态的相位重叠模式、扩展范围相移模式以及“微调位”模式。多个可编程或可选择RF移相器可以串联或并联连接以提供期望的相移全范围。

    基于反射的RF移相器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108463948B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201680077759.7

    申请日:2016-11-10

    申请人: 派赛公司

    IPC分类号: H03H7/20

    摘要: 可编程多反射移相器,其提供减小的均方根相位误差,可以针对期望的频带进行优化、可以补偿制造期间产生的工艺变化并且可以帮助弥补系统级性能不足。实施方式包括与具有多种不同配置的基于电抗的多反射终接电路相结合的混合耦合器(例如,兰格混合耦合器),所述多种不同配置允许各种操作模式,各种操作模式包括测温模式、具有间隙相移状态的相位重叠模式、扩展范围相移模式以及“微调位”模式。多个可编程或可选择RF移相器可以串联或并联连接以提供期望的相移全范围。

    集成电路校准架构
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109417427B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201780037406.9

    申请日:2017-06-27

    申请人: 派赛公司

    IPC分类号: H04B17/14

    摘要: 一种校准架构,其能够在相对简单的测试环境中准确校准在收发器RF系统中使用的射频(RF)集成电路(IC)芯片。本发明的实施方式包括一个或更多个芯片上可切换内部校准路径,其能够将芯片上电路的一部分直接耦接至RF测试系统,同时隔离芯片上的其他电路系统。可以在初始工厂校准之后执行RF IC的周期性自校准,使得可以在这样的IC嵌入到最终系统内时进行对期望的性能参数的调节,以及/或者考虑由于老化或其他因素导致的部件劣化。

    具有加权位的高分辨率衰减器或移相器

    公开(公告)号:CN112313877A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201980041755.7

    申请日:2019-06-18

    申请人: 派赛公司

    IPC分类号: H03H17/00 H03H17/08

    摘要: 提供高分辨率的数字步进衰减器(DSA)和数字移相器(DPS)多级电路架构。实施方式使用抖动方法来对位位置进行加权以提供比最低定值单个级更精细的分辨率。确定用于级的位位置权重以使得能够选择提供期望的总衰减或相移范围的n个位位置的组合,同时允许利用可用的大量状态(2n)以产生衰减或相移的分数中间步长。分数中间步长具有比最低定值级更精细的分辨率。可以使用加权函数来确定位位置权重,该加权函数包括根据线性级数、几何级数、调和级数或这些级数的交替变型确定的权重。在一些实施方式中,至少一个位位置具有未通过位位置加权函数确定的固定值。

    低相移高频衰减器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108292911B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201680070791.2

    申请日:2016-09-30

    申请人: 派赛公司

    IPC分类号: H03H7/24 H01P1/22 H03H11/24

    摘要: 一种宽带RF衰减器电路,当其在衰减状态与非衰减参考状态或旁路状态之间切换时,对施加的信号的相位的影响降低。通过利用在每个信号路径具有多个分布式传输线元件的切换式信号路径衰减器拓扑结构来提供宽带操作、分散寄生影响并改善隔离以在更高频率处实现更高的衰减并且同时仍保持低相移操作特性,可以实现高RF频率处的低相移衰减。在替选实施方式中,可以通过在每个信号路径的信号接口处利用四分之一波长传输线元件以从而改善插入损耗和功率处理,来实现向甚至更高频率的扩展。