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公开(公告)号：CN114942534B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210454274.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及集成光学分路器领域，公开了基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺，包括包括第一金属电极、离子交换区域、SiO2上包层、SiON波导、第二金属电极、SiO2下包层和硅基底。第一金属电极位于离子交换区域的上表面，离子交换区域位于SiON波导的上表面，且离子交换区域置于SiO2上包层之内，SiON波导位于硅基底的上方，SiON波导的上表面与SiO2上包层的下表面相接触，SiON波导的下表面与SiO2下包层的上表面相接触，SiO2下包层位于第二金属电极的上表面，第二金属电极贴合于硅基底的上表面，通过两块金属电极形成的电容电场对离子交换区域的掺杂离子向SiON波导扩散进行控制，以实现对波导传播模式以及分路器分光比的调制目的。
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公开(公告)号：CN114942534A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210454274.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及集成光学分路器领域，公开了基于SiON波导的离子交换可调制光分路器及其制备工艺，包括包括第一金属电极、离子交换区域、SiO2上包层、SiON波导、第二金属电极、SiO2下包层和硅基底。第一金属电极位于离子交换区域的上表面，离子交换区域位于SiON波导的上表面，且离子交换区域置于SiO2上包层之内，SiON波导位于硅基底的上方，SiON波导的上表面与SiO2上包层的下表面相接触，SiON波导的下表面与SiO2下包层的上表面相接触，SiO2下包层位于第二金属电极的上表面，第二金属电极贴合于硅基底的上表面，通过两块金属电极形成的电容电场对离子交换区域的掺杂离子向SiON波导扩散进行控制，以实现对波导传播模式以及分路器分光比的调制目的。
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公开(公告)号：CN114935838A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210452731.4
申请日：2022-04-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及集成光学分路器领域，公开了基于离子交换的可调制光分路器及其制备工艺，主要包括玻璃基底、金属电极和玻璃基波导。基于离子交换的光分路器的制备工艺主要包括一下两个环节，第一个环节为在玻璃基PLC(平面光波导)器件上方进行二次混合熔盐离子交换工艺；第二个环节为在二次离子交换区域的表面采取Lift‑off工艺进行金属电极的制备。本发明中的可调制光分路器能够通过金属热电极产生的热量或两块金属电极形成的电容电场，对玻璃基PLC(平面光波导)中波导区域的离子交换过程进行调控，从而达到对离子交换区域波导的传播模式以及光分路器分光比进行调制的目的。
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