公开(公告)号：CN114597269A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210225282.X

申请日：2022-03-07

申请人： 湖北大学

发明人： 何云斌 ,  张忠辉 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  刘琦 ,  陈兴驰 ,  陈剑

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L33/42 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供了一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用。该导电薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；提供F、Sn共掺(SnxGa1‑x)2(O1‑yFy)3靶材；在衬底表面制备得到氧化镓基深紫外透明导电薄膜；其中，0.001≤x≤0.038，0.209≤y≤0.310。本发明通过将F、Sn同时掺入Ga2O3，在保持Ga2O3超宽带隙的同时，提高了其导电性能；制备得到的导电薄膜对深紫外以及可见光有很高的透过性，可应用在深紫外透明导电领域；本发明制备得到的氧化镓基深紫外透明导电薄膜，具有单斜结构和(100)择优取向，同时具有很好的热稳定性，紫外可见光平均透过率超过90％，且导电性良好。

公开(公告)号：CN114597269B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210225282.X

申请日：2022-03-07

申请人： 湖北大学

发明人： 何云斌 ,  张忠辉 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  刘琦 ,  陈兴驰 ,  陈剑

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L33/42 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供了一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用。该导电薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；提供F、Sn共掺(SnxGa1‑x)2(O1‑yFy)3靶材；在衬底表面制备得到氧化镓基深紫外透明导电薄膜；其中，0.001≤x≤0.038，0.209≤y≤0.310。本发明通过将F、Sn同时掺入Ga2O3，在保持Ga2O3超宽带隙的同时，提高了其导电性能；制备得到的导电薄膜对深紫外以及可见光有很高的透过性，可应用在深紫外透明导电领域；本发明制备得到的氧化镓基深紫外透明导电薄膜，具有单斜结构和(100)择优取向，同时具有很好的热稳定性，紫外可见光平均透过率超过90％，且导电性良好。