一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114047231B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202111299654.5

    申请日:2021-11-04

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明涉及气体传感器技术领域,尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时,所述异质结与被检测气体的接触面积,并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附,进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率;且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法,所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。

    一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114047231A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111299654.5

    申请日:2021-11-04

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明涉及气体传感器技术领域,尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时,所述异质结与被检测气体的接触面积,并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附,进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率;且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法,所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。