公开(公告)号：CN100511598C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610106117.3

申请日：2006-07-20

申请人： 硅电子股份公司

发明人： 吕迪格·施默尔克 ,  托马斯·比施哈尔特 ,  格哈德·海尔 ,  吉多·文斯基

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC分类号： B24B37/28 ,  Y10S438/959

摘要： 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R-2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R-1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。

公开(公告)号：CN1204600C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02140515.8

申请日：2002-07-05

申请人： 硅电子股份公司

发明人： 吉多·文斯库斯 ,  托马斯·阿尔特曼 ,  格哈德·海尔 ,  沃尔夫冈·温克勒 ,  京特·卡恩

IPC分类号： H01L21/302 ,  B24B7/22

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B17/10 ,  B24B37/08

摘要： 本发明涉及一种用于对具有正面及背面的半导体片同时实施两面材料去除切削的方法，其中这些片位于若干载具内且以适当方式移动于两个相反转动的工作盘之间，这些载具是借助于一环状内驱动环及一环状外驱动环产生转动作用，该方式可借助于一个相对于上工作盘的路径曲线及一个相对于下工作盘的路径曲线而加以描述，其中该两个路径曲线在围绕该中心的六个环路之后仍呈开放型，及在每个点的曲率半径至少与内驱动环的半径同样大。

公开(公告)号：CN1901142A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106117.3

申请日：2006-07-20

申请人： 硅电子股份公司

发明人： 吕迪格·施默尔克 ,  托马斯·比施哈尔特 ,  格哈德·海尔 ,  吉多·文斯基

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC分类号： B24B37/28 ,  Y10S438/959

摘要： 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具，该半导体晶片在一载具的切口内被引导，与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中，将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于，在整个半导体晶片机加工期间，载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚，其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片，其具有正面、背面、边缘以及以SFQR最大表示的正面的局部平整度，该SFQR最大在R－2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米，并在R－1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米，且基于26×8毫米的区域面积进行测量。

公开(公告)号：CN1396632A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140515.8

申请日：2002-07-05

申请人： 瓦克硅电子股份公司

发明人： 吉多·文斯库斯 ,  托马斯·阿尔特曼 ,  格哈德·海尔 ,  沃尔夫冈·温克勒 ,  京特·卡恩

IPC分类号： H01L21/302 ,  B24B7/22

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B17/10 ,  B24B37/08

摘要： 本发明涉及一种用于对具有正面及背面的半导体片同时实施两面材料去除切削的方法，其中这些片位于若干载具内且以适当方式移动于两个相反转动的工作盘之间，这些载具是借助于一环状内驱动环及一环状外驱动环产生转动作用，该方式可借助于一个相对于上工作盘的路径曲线及一个相对于下工作盘的路径曲线而加以描述，其中该两个路径曲线在围绕该中心的六个环路之后仍呈开放型，及在每个点的曲率半径至少与内驱动环的半径同样大。