苝-3,4,9,10-四羧酸二酐接枝改性聚丙烯薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114395149A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111421988.5

    申请日:2021-11-26

    摘要: 公开了苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐接枝改性聚丙烯薄膜的制备方法,方法中,称取第一预定质量分数的苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐,在持续的第一搅拌条件下溶解于非极性有机溶剂中得到在室温下长期稳定的PPDI溶液;称量第二预定质量分数的2‑甲基烯丙基胺,在持续的第二搅拌条件下溶于PPDI溶液以反应得到PPDI烯基化溶液;称量第三预定质量分数的烯基化的PPDI粉末、引发剂和聚丙烯,溶解于非极性有机溶剂中;在冰水浴条件下向苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐接枝聚丙烯溶液中加入预定量的丙酮溶液以析出固体产物结晶;将粉末状固体PP‑g‑PPDI在热压成薄膜状试样以得到N‑型分子半导体接枝改性聚丙烯薄膜。

    金属化膜电容器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114334451A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111428387.7

    申请日:2021-11-26

    IPC分类号: H01G4/33 H01G4/002 H01G4/015

    摘要: 本发明公开了一种金属化膜电容器,金属化膜电容器中,绝缘芯棒,电容芯经由多个基膜和多个金属化膜在长度方向上交替卷绕所述绝缘芯棒,所述金属化膜在垂直于长度方向上的宽度小于基膜,使得基膜与金属化膜一端对齐,另一端具有无金属化膜覆盖的留边区域,所述留边区域分布于电容芯的两端,两个喷金电极分别设于所述电容芯两端,所述喷金电极电连接金属化膜远离留边区域的一端。

    复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114262224A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111422003.0

    申请日:2021-11-26

    摘要: 公开了一种复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷及其制备方法,方法中,称量预定质量比例的BaCO3、SrCO3、TiO2、La2O3、Fe2O3并与无水乙醇混合后球磨得到第一浆料;所述第一浆料烘干过筛并进行在第一温度下预烧反应合成第一粉料;所述第一粉料过筛并与无水乙醇混合后球磨得到第二浆料;所述第二浆料烘干过筛后加入预定质量百分比的聚乙烯醇获得粒径在60‑100目之间的第二粉料;预定压强下对所述第二粉料进行干压成型,获得粗坯;所述粗坯在第二温度下烧结得到复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷样品,所述钛酸锶钡陶瓷样品的成分为(Ba0.65Sr0.35)1‑xLaxTi1‑xFexO3。

    一种聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111662515B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010646948.X

    申请日:2020-07-07

    摘要: 本发明公开了一种聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜的制备方法,涉及薄膜电容器制备技术领域,S100、称量聚四甲基一戊烯并溶解在非极性聚合物溶剂中并在搅拌条件下溶解,得到聚四甲基一戊烯溶液;S200、称量二氧化钛纳米片加入所述聚四甲基一戊烯溶液并搅拌得到混合溶液A;S300、将所述溶液A真空干燥得到聚四甲基一戊烯—二氧化钛纳米片复合薄膜。本发明通过掺杂二维纳米氧化钛片层结构,主要是提高整体介电常数;相较于颗粒状二氧化钛,二维二氧化钛纳米片在低掺杂下就可获得介电常数和介电稳定性的提高。

    一种聚丙烯-聚偏氟乙烯复合金属化薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111808311A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010594061.0

    申请日:2020-06-24

    IPC分类号: C08J7/04 C08L23/12

    摘要: 本发明提供了一种聚丙烯-聚偏氟乙烯复合金属化薄膜及其制备方法。将液态的聚偏氟乙烯按照一定厚度比例均匀涂覆在金属化聚丙烯薄膜基膜侧的表面;聚丙烯基膜的厚度为6μm;聚偏氟乙烯厚度为2~4μm。本发明获得的聚丙烯-聚偏氟乙烯复合金属化薄膜在保证自愈性能的前提下,介电常数和储能密度同时得到显著提高。当选取本发明的聚丙烯/聚偏氟乙烯的厚度比时,储能密度提升最大,且介电损耗与纯聚丙烯相比保持不变。该技术为金属化薄膜电容器储能密度的提升提供了技术基础。