公开(公告)号：CN111848152A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010808776.1

申请日：2020-08-12

申请人： 重庆大学

发明人： 赵学童 ,  张洁心 ,  梁杰 ,  孙健杰 ,  杨丽君 ,  廖瑞金 ,  成立 ,  郝建

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及一种基于冷烧结的高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法，该方法将ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3按照摩尔比例为95-100%：0-5%：0-5%：0-5%进行混合；然后湿式球磨12h后，将混合粉末在80oC烘干12h，然后取混料装入金属模具，采用冷烧结技术进行200-300oC烧结1-3 h，自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用冷烧结技术制备压敏陶瓷，烧结温度和保温时间大幅下降，更加的节能环保，得到的ZnO压敏陶瓷电位梯度高达3300 V/mm以上，且非线性系数高达40左右。