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发明授权
半导体器件制造方法及半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN100557822C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200580045283.0

申请日：2005-12-19

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 尤瑞·V·诺乌里夫 , 约西尼·J·G·P·卢

IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/78648

摘要： 具有衬底和硅半导体本体(2)的半导体器件(10)，包括场效应管，在沟道区(5)位置处的第一表面上形成第一栅极电介质(6A)，并且在第一表面上形成第一栅极(7)，从本体(2)的第一侧面通过第一栅极并且在第一栅极两侧上执行凹陷离子注入(20)，注入导致与在远离第一栅极(6A)的沟道区的截面中的第一栅极两侧上的硅相比、第一栅极下面的硅性质的变化，并且通过使用硅性质变化的选择性刻蚀在本体(2)的第二表面上设置了腔体(30)。将第二栅极电介质(6B、8)沉积在的腔体中。在离子注入前，将掩模(M1)按一定距离形成于在栅电极的两侧上，在离子注入之后在掩模(M1)位置处获得硅性质的变化。