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公开(公告)号:CN105319394B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201510887584.3
申请日:2015-12-07
Applicant: 太原理工大学
IPC: G01P15/093
Abstract: 本发明涉及基于共振光隧穿效应原理制作的角加速度检测器及检测方法;提出了一种利用共振光隧穿效应原理上高分辨率的特点,测量角加速度的新型结构的角加速度检测器;所采用的技术方案为:一种基于共振光隧穿效应的角加速度检测器,包括环形固定框、弹性悬臂梁和质量块,可调光源和光电探测器,利用共振光隧穿效应对质量块微弱移量的变化将会引起透射强度T大的变化量进行检测,以监测到的光透射强度的变化获得角度变化量大小,实现对微角度变化量的精确测量。
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公开(公告)号:CN106946283B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710202237.1
申请日:2017-03-30
Applicant: 太原理工大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种检测低浓度丙酮气体的锡基纳米复合材料的制备方法,是针对丙酮气体检测气敏材料存在低浓度气体无灵敏度、高浓度气体灵敏度低、响应速度慢、选择稳定性差的情况,以氯化亚锡、氢氧化钠、柠檬酸钠、硝酸镨为原料,经反应釜水热合成、微波加热高温热处理、研磨过筛,得到锡基纳米复合材料,此制备方法工艺先进,数据精确翔实,产物形貌好,为片形花状分层结构,片厚度≤30nm,产物纯度好,达99%,材料对100ppm丙酮气敏灵敏度达27,响应时间为2s,恢复时间为36s,对1ppm丙酮气体灵敏度可达1.86,灵敏度高,响应速度快,适宜低浓度丙酮检测,可在检测丙酮气体传感器中应用,是先进的锡基纳米复合材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN107765198A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710781771.2
申请日:2017-09-02
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明一种利用柔性薄膜磁传感器检测磁场的方法,属于传感器技术领域;所要解决的技术问题是提供了一种利用柔性薄膜磁传感器检测磁场的方法;解决该技术问题采用的技术方案为:一种利用柔性薄膜磁传感器检测磁场的方法,包括下述步骤:首先将所述柔性薄膜磁传感器置于磁场中,然后传感器发生形变,传感器的形变引起传感器的电阻变化,通过检测传感器电阻的变化可以检测磁场的存在;本发明灵敏度高、稳定性强;本发明可广泛应用于磁场检测领域。
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公开(公告)号:CN104465125B
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201410697924.1
申请日:2014-11-28
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及微型电容器领域中超级电容器,具体为TiO2/NiO三维叉指微电极及其制备方法。该电极的制备方法为:首先在硅基体表面氧化一层绝缘层,然后溅射金属钛层并通过微加工技术制备钛三维叉指微电极,将此电极放入HF溶液中阳极氧化形成有序TiO2纳米管阵列,在TiO2纳米管内通过电沉积方法制备NiO,最后在具有NiO活性物质的三维叉指微电极间填充KOH电解质。本发明利用具有高比表面积的TiO2纳米管材料和NiO在KOH电解质中能够发生可逆氧化还原反应原理,设计赝电容机理的三维叉指微电极结构,相比传统“三明治”结构大大提高了电容器的比电容。
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公开(公告)号:CN105023842B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201510402800.0
申请日:2015-07-10
Applicant: 太原理工大学
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及加固碳化光刻胶和硅基底结合的方法,具体为一种可加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法,包括如下步骤:首先准备清洗干净并且烘干的硅基底,接着在该基底上制备氮化硅薄膜,再在薄膜上旋涂一层光刻胶,然后对此光刻胶进行前烘、曝光、显影处理,形成规定尺寸的孔径,将此结构中的氮化硅薄膜进行湿法腐蚀,最后对硅进行湿法腐蚀,再对硅片使用湿法腐蚀,在硅片上得到基底凹槽;在以上形成的凹槽内填充光刻胶,得到组合凹槽结构。本发明从设计硅基底结构出发,通过制备特殊组合凹槽结构,有效改善了光刻胶与基底结合性差和高温碳化时会发生收缩现象而与基底易脱落的现象。
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公开(公告)号:CN107102039A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710269781.8
申请日:2017-04-24
Applicant: 太原理工大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及一种银掺杂二硫化钼复合材料混合液的制备方法,是针对二硫化钼灵敏度低、响应速度慢的情况,以硝酸银、柠檬酸钠、硫脲、钼酸钠为原料,经水热合成,制备银纳米颗粒,经溶液聚合,制成银掺杂二硫化钼复合材料混合液,此制备方法工艺先进、数据精确翔实,制备的银掺杂二硫化钼复合材料为液态,成花瓣状,花瓣间层次分明,花瓣尺寸在200‑1000nm,产物纯度达99.6%,银纳米颗粒尺寸均匀,分散性好,颗粒直径≤80nm,均匀附着在花瓣上,是先进的制备银掺杂二硫化钼复合材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN106989850A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201710266746.0
申请日:2017-04-21
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明提供的一种具有高集成度的自供电压力传感器,包括封装壳体,所述封装壳体内设有竖直通孔的圆柱体,所述圆柱体主要由上下堆叠在一起的压力传感单元和压电俘能器单元组成,所述压力传感单元和所述压电俘能器单元之间设置有非极化隔离层;所述竖直通孔内设有能量管理模块和信号处理模块,所述压电俘能器单元的输出电极与所述能量管理模块的输入端电气连接,所述压力传感单元的输出电极与所述信号处理模块的输入端电气连接,所述能量管理模块的输出端与所述信号处理模块的电源端电气连接;本具有高集成度的自供电压力传感器能够直接输出数字信号,进行自主工作,不会给外部电路带来任何负担,适用于压力传感领域。
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公开(公告)号:CN106732842A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710077109.9
申请日:2017-02-14
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: B01L3/502761 , B01L3/502707 , B01L2300/0829 , B01L2300/0864 , B01L2300/0887 , B01L2300/0893 , B01L2400/0415 , G01N21/658
Abstract: 本发明属于微流控芯片的技术领域,具体涉及一种用于无标识高内涵药物筛选的微流控芯片及其制作方法;解决的技术问题为:提供一种能够对细胞进行捕获、定位,能够进行高内涵、无标记药物筛选的微流控芯片及其制作方法;采用的技术方案为:用于无标识高内涵药物筛选的微流控芯片,所述微流控芯片上设有检测池和多条微流道,所述多条微流道均与所述检测池相连通,且多条微流道之间彼此不相连通,所述检测池内设有多个结构单元,所述多个结构单元组成阵列型结构,所述结构单元包括:至少两个用于定位细胞的定位电极和至少一对用于生长纳米枝晶结构的生长电极。
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公开(公告)号:CN106500886A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201610838176.3
申请日:2016-09-22
Applicant: 太原理工大学
IPC: G01L1/20
CPC classification number: G01L1/20
Abstract: 本发明公开一种基于导电纳米材料的柔性微薄膜表面应力生物传感器的制备方法。具体以一种简单的方法将导电纳米材料于柔性基地相结合,进一步提高应力传感器的灵敏度以及伸缩性能,首先以柔性材料(如PDMS)为原料作出具有凹槽的柔性模版;接着用导电纳米材料(如碳纳米管、银纳米线)填充到上述模板的凹槽中;在填充的纳米导电材料两端引出电极;最后用柔性聚合物材料(如PDMS等)在上层固定纳米材料及电极,增强结构稳定性(此步骤可根据现实需求省略)。本发明方法工艺简单、成本低廉、可控性强,制备得到的基于导电纳米材料的柔性应力传感器的灵敏度高、稳定性强、伸缩性好,为实现微型化、低成本、批量化生产提供了可能。
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公开(公告)号:CN105665734A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610006716.1
申请日:2016-01-06
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , C01G19/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及一种检测氢的金负载氧化锡纳米材料的制备方法,是针对氢气检测气敏材料存在灵敏度低、响应速度慢、稳定性差的情况,采用锡酸钾、氯金酸、葡萄糖为原料,经反应釜水热合成、真空热处理、研磨过筛,制成金负载氧化锡纳米材料,此制备方法工艺先进,数据精确翔实,产物为紫黑色晶体,晶体颗粒直径≤80nm,产物纯度好,达99.6%,材料对100ppm氢气气敏灵敏度达25,响应时间为1s,恢复时间为3s,灵敏度高,响应恢复速度快,可在检测氢的气体传感器中使用,是十分先进的金负载氧化锡纳米材料的制备方法。
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