金属导电膜、组件及电子设备

    公开(公告)号:CN219658401U

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202321219346.1

    申请日:2023-05-19

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本实用新型公开了金属导电膜、组件及电子设备,其中金属导电膜包括基材层,基材层至少一侧为低折面,低折面上依次叠层设有打底层、连接层和导电金属层;连接层包括层叠设置的第一连接层和第二连接层,第一连接层邻靠打底层,第二连接层邻靠导电金属层;第一连接层为通过磁控溅射镀覆而成的金属硅层,第二连接层为通过磁控溅射镀覆而成的氧化钇层。本实用新型结果简单,有效为产品提供了防护,从而避免刻蚀线路断路,从而极其有效地改善了产品的质量和生产效率,降低废品率。

    高透膜
    93.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218630249U

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202221297248.5

    申请日:2022-05-26

    IPC分类号: G02B1/11 G02B1/14

    摘要: 本实用新型公开了一种高透膜,其包括依次层叠设置的基材层、加硬层、减反层和疏水层;其中,所述加硬层的折射率为1.6~1.7,所述减反层的折射率为1.5~1.6,且所述减反层中分散有纳米二氧化硅粒子。本实用新型提供的高透膜,通过减反层的设置,能够有效提高可见光的透过率,以及降低可见光的反射率,高高透膜应用于手机、电脑等电子产品的显示屏上,能够提高用户的视觉体验;而且纳米二氧化硅粒子的加入能够提高膜的耐磨性和硬度。

    低反射ITO导电膜
    94.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217588453U

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202221824757.9

    申请日:2022-07-14

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本实用新型公开了一种低反射ITO导电膜,其包括依次层叠设置的基材层、消影层和ITO层;其中,所述消影层的折射率为1.7~1.75,且所述消影层与所述ITO层的折射率差值小于等于0.1。本实用新型通过调整消影层折射率至1.70~1.75,使消影层与ITO的层折射率更接近,可以明显降低反射率,减小色差痕,并且能够有效的减轻摩尔纹现象,提高导电膜的感官视觉。

    高阻抗耐酸碱ITO导电膜
    95.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217386691U

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202220704249.0

    申请日:2022-03-29

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本实用新型公开了一种高阻抗耐酸碱ITO导电膜,包括依次层叠的基材层、树脂层、打底层、第一功能层、导电层以及第二功能层,其中,所述第一功能层和第二功能层均由氧化锌锡制成。本实用新型高阻抗耐酸碱ITO导电膜具有高方阻、方阻均匀性好、良好的耐酸碱性的优点。

    COP导电膜
    96.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217386690U

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202220027760.1

    申请日:2022-01-06

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本实用新型公开了一种COP导电膜,其特征在于,包括依次层叠的COP基材层、第一树脂层、第二树脂层、打底粘接层以及导电层,其中,COP基材层的厚度为50μm~200μm,本实用新型的COP导电膜具有优异的光学性能、优异的耐环测性能、优异的阻水和阻氧性能、优异的抗紫外线性能以及具有色差痕好的优点。

    防腐蚀的ITO导电膜
    97.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215265606U

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202121257263.2

    申请日:2021-06-08

    IPC分类号: H01B5/14

    摘要: 本实用新型公开了一种防腐蚀的ITO导电膜,包括基材层,还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层的一面上的树脂阻挡层,通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层上的光匹配打底层,通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层上的ITO导电层和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层上的阻挡封盖层,所述树脂阻挡层的折射率为1.6‑1.7,厚度为700‑1000nm,所述光匹配打底层的折射率为1.4‑1.5,厚度为5‑15nm,所述阻挡封盖层的折射率为1.4‑2.4,厚度为1‑15nm。光学性能优异,起到较好的阻水阻氧等阻隔作用,阻挡玻璃盖板中析出的钠离子对ITO导电膜的腐蚀侵害,耐腐蚀性能更佳,并在使用及生产过程中,ITO导电膜受析出粒子影响较小,清晰寿命长,更适合于大屏显示所有人机交互领域。

    一种用于电致变色的装饰膜

    公开(公告)号:CN212989842U

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202021733569.6

    申请日:2020-08-19

    IPC分类号: G02F1/15 G02F1/153

    摘要: 本实用新型公开了一种用于电致变色的装饰膜,包括以上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、以下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层,所述上镀膜层,所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。使用PET为衬底基材进行磁控溅射镀膜,与电致变色材料进行贴合,通过导电的装饰膜进行多层结构贴合,复合型的电子变色材料的合成更为简便,能获得具有多色显色、宽光谱及快相应的优点,导电功能在实际工作中稳定性较好,并且使生产过程中良率高,降低成本,再结合上镀膜层,能满足客户的高标准要求,适应市场需求,能够广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上,同时还能够解决城市污染问题,节能环保。

    一种大屏幕用低阻抗金属导电膜

    公开(公告)号:CN212694855U

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202020911725.7

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H01B5/14 H01B13/00

    摘要: 本实用新型提供了一种大屏幕用低阻抗金属导电膜,包括基材层、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的低折射面上的金属硅层、金属功能层、黑化层、上保护层,设置在基材层另一面上的下保护层,在做所述金属功能层前,先做一层所述金属硅层打底作为粘结层,使所述金属功能层与基材贴合更紧密,所述金属功能层通过所述金属硅层间接粘结在所述基材层上,降低脱落现象,同时提高蚀刻后附着力,并使得所述金属功能层和基材粘结比较紧密,避免蚀刻后附着力不良断线,同时透光孔也减少,适用于大屏幕使用。