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公开(公告)号：CN117746946A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311862202.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。
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公开(公告)号：CN117682511A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211100887.2
申请日：2022-09-09
IPC: C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯纳米结构制备方法，包括提供DNA纳米结构和具有石墨烯的基底；对石墨烯进行非共价修饰，将DNA纳米结构铺展在石墨烯表面；将TMAPS和TEOS加入到缓冲液中预水解形成预水解液，将铺展在石墨烯表面的DNA纳米结构置于预水解液中硅化，使DNA纳米结构的表面生长保护性SiO2外壳，得到DNA‑SiO2掩模版；利用氧等离子体刻蚀除去未被DNA‑SiO2掩模版覆盖的石墨烯；除去DNA‑SiO2掩模版，得到石墨烯纳米结构。根据本发明的石墨烯纳米结构制备方法，基于DNA‑SiO2掩模版的纳米刻蚀技术，解决现有石墨烯纳米结构制备技术难以同时满足高精度、形貌可控、低成本和大规模制备要求的问题。
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公开(公告)号：CN117587523A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210969689.3
申请日：2022-08-12
Applicant: 张江国家实验室
Inventor： 贾思思
Abstract: 本发明提供一种基于光敏DNA的图形模版及图形制备方法，图形制备方法包括步骤：对基底表面进行钝化处理；于基底表面修饰锚定DNA链、偶氮苯‑DNA链和引导组装DNA链，其中，偶氮苯‑DNA链的第一端与锚定DNA链具有第一杂交片段，偶氮苯‑DNA链的第二端与引导组装DNA链具有第二杂交片段；对偶氮苯‑DNA链与引导组装DNA链的第二杂交片段按设定图形进行光照以使其解链；在保留有引导组装DNA链的区域组装修饰材料，以获得设定图形。本发明可通过双光子扫描模式形成所需图形，防止生物分子受到的热损伤，为多功能、无掩模、无需洁净室和环保的光刻方法提供了一种可行性方案。
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公开(公告)号：CN117272908A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210674628.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F30/39 , G06F111/04 , G06F115/12
Abstract: 本申请公开了对要形成的半导体特征结构进行分配的方法和设备。一种用于对要形成在导向自组装芯片上的半导体特征结构进行分配的方法包括：获得指示各半导体特征结构的位置的位置信息；设置设计约束参数；基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数识别半导体特征结构的多个完全图；基于各半导体特征结构的位置信息和设计约束参数对多个完全图执行完全图降阶算法，以形成半导体特征结构的分组；以及基于半导体特征结构的分组和设计约束参数将各半导体特征结构分配到相应的掩模层。
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公开(公告)号：CN116961750A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210408634.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及光通信领域，涉及一种光信号处理方法、光信号处理系统、通信卫星及地面终端。其中，光信号处理方法，包括：通过激光终端接收光信号，将光信号分离得到光控制报文和光数据报文；基于光控制报文确定光信号对应的目的地址；判断目的地址下一跳是否为本节点，若目的地址下一跳不为本节点，则执行：生成光控制报文对应的转发光控制报文，发送至激光终端；将光数据报文直接发送至激光终端；通过激光终端发送转发光控制报文及光数据报文至下一个节点。在节点之间的光信号发送过程中，数据报文可以实现全光交换，报文在卫星内部处理时，可以不经过光‑电‑光的转换。不需要转换成电信号，可以有效的简化激光终端的系统结构，有效提升数据带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120065632A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311619854.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请涉及一种粒子束驱动的光源、光刻装置和检测装置。该光源包括：粒子源，用于产生粒子束；聚焦系统，用于使粒子束聚焦并且传输至靶材，其中靶材受到经聚焦的粒子束激发而发出XUV或EUV波段的辐射光束；以及光学模组，用于对辐射光束进行滤波，以输出经滤波的辐射光束。
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公开(公告)号：CN119937239A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311466768.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及纳米压印技术领域，公开一种纳米压印模板及其制备方法，纳米压印模板包括：储气部和压印层，压印层具有压印图案；储气部具有朝向压印层的第一开口，压印层覆盖于第一开口，以与储气部围成储气腔；储气部具有与储气腔连通的进气口。当由进气口向储气腔进气时，储气腔内的压力逐渐变大，并驱动压印层向外部凸出，且压印层的中部位置先凸起，随着进气量的增加逐步向四周凸起，以上过程中，压印层的曲率可通过储气腔进气量的多少进行控制；当进行压印操作时，压印层的中部图案先压印至衬底上，再逐步向四周压印，从而，以步进的方式由中部向四周压印，将空气逐步赶走，避免压印层下方的气体没有排除干净，影响产品良率。
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公开(公告)号：CN117746946B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311862202.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。
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公开(公告)号：CN116257358B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202310179690.0
申请日：2023-02-27
Abstract: 本发明公开了一种基于GPU的逻辑重写加速方法。本发明将AIG重写的子过程并行化。将AIG重写的递归子过程重新设计为无递归的，以便为GPU提供足够的并行性。其次，为了在GPU上并行化替换步骤，本发明使用锁来确保互斥访问不可避免地会破坏节点间并行性的可扩展性。为了充分利用大规模节点间并行性，本发明提出了一个工作调度器，该调度器将MFFC不重叠的节点分为一组，以便可以同时删除MFFC中的节点而不冲突。为了同时创建和删除同一个节点，本发明还提出了一种GPU友好的图形数据结构来支持这些并发操作。
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公开(公告)号：CN119571280A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411677025.5
申请日：2024-11-22
IPC: C23C14/58 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C14/35 , C23C14/28 , C23C14/54 , C23C16/52 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变；对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度‑应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构。本发明通过调控铪基薄膜制备过程中的参数向薄膜中引入不同大小的应变，进而通过协同控制退火过程中的温度和铪基薄膜的应变，达到有效、精细调节铪基薄膜的晶体结构的目的，能够实现对材料性能的优化，本发明的调控方法比传统的单一温度或薄膜参数控制更为精确且有效。
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