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公开(公告)号：CN102298996A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110254787.0
申请日：2011-08-31
Abstract: 本发明涉及一种电场分布均匀的特高压合成绝缘子，属于电工材料技术领域。本特高压合成绝缘子中，硅橡胶绝缘子和非线性特性绝缘子相互连接，所述的接地电极端和均压环置于硅橡胶绝缘子的端部。固定导线的高压电极端和均压环置于非线性特性绝缘子的端部；所述的硅橡胶绝缘子占特高压合成绝缘子总长度的4/5。非线性特性绝缘子占特高压合成绝缘子总长度的1/5。本发明提出的特高压合成绝缘子，采用非线性复合材料制备绝缘子单体，与传统硅橡胶绝缘子单体混合组装而成，能够显著改善特高压绝缘子整体电场分布的不均匀性，提高运行过程中的安全可靠性和使用寿命，减小均压环尺寸甚至取消，极大地减小特高压绝缘子设计生产安装的难度与成本。
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公开(公告)号：CN101710138B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910243317.7
申请日：2009-12-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器，属于高电压测量技术领域。本发明采用具有电光效应的晶片，在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导，在互相平行的两段光波导中的一段上方设置栅格电极。栅格电极由两条横向电极及连接横向电极的多条纵向电极构成。本发明提出的用于强电场测量的栅格覆盖光电集成传感器，可以满足大于100kV/m的强电场的测量，而且最大程度的减少电极下Si基涂层对于传感器静态工作点的影响，有效提高其测量稳定性；减少金的用量，降低产品成本。
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公开(公告)号：CN101913857A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010237477.3
申请日：2010-07-23
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高梯度高介电低损耗压敏材料的制备方法，属于高介电陶瓷材料的技术领域。本发明制备方法以CaCO3或CaO、CuO、TiO2以及PbO为原料，称量后置于球磨罐中混磨，将混磨后的物料在预烧后随炉冷却；将预烧之后的物料敲碎，置于球磨罐中以酒精为研磨介质研磨，干燥，采用压片成型工艺，将粉料制成具有所需形状和强度的坯体；在空气气氛中烧结坯体，使陶瓷烧结致密。本发明方法使PbO分布在CCTO的晶界上，并有效减小晶粒大小，增加晶界电阻，从而降低了介电损耗，增加了电压梯度。
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公开(公告)号：CN101858946A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010166376.1
申请日：2010-05-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏电阻单晶界冲击老化特性的测试方法，属于精细电工材料的定量分析技术领域。将将被测样品磨平并抛光，在样品表面沉积微型银电极阵列，利用精密微探针平台和光学显微镜观察，使针尖与样品上的微电极紧密接触，测量单个氧化锌晶界的伏安特性曲线；对样品施加多次冲击电流作用，测量样品在承受电流冲击的不同阶段单个晶界的伏安特性曲线数据；最后计算出该晶界所对应的非线性系数、击穿电压和泄漏电流等参数，并得到冲击电流对单个晶界特性的影响规律。本方法更为直观地展现出晶界的老化规律，为氧化锌压敏电阻导电机理、老化机理和改性研究提供了更为新颖的测试分析手段。
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公开(公告)号：CN101786874A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010034238.8
申请日：2010-01-15
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法，属于低残压ZnO压敏电阻陶瓷的加工技术领域；该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ZnO压敏电阻陶瓷的制备工艺，该原料配方包括：ZnO、Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2、Al(NO3)3·9H2O和Cr2O3；该方法包括：采用原料配方中的ZnO、Bi2O3和Al(NO3)3·9H2O；球磨后烘干作为籽晶原料；再放入高温电炉中，进行第一步预烧成籽晶硬块，随炉冷却至常温；再球磨后；过筛，得到籽晶；将所有剩余的原料、籽晶与PVA溶液混合，球磨后烘干，过筛，含水造粒，将其压成坯体；将坯体进行第二步烧结后冷却到常温。本发明在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101671174A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910093141.1
申请日：2009-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/462
Abstract: 本发明涉及一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法，属于高介电陶瓷材料技术领域。钛酸铜钙陶瓷采用CaCO 3 或CaO、CuO及TiO 2 为初始原料，将原料混合后混磨，将混磨后的物料在800℃至950℃下预烧，预烧之后的硬块敲碎后研磨，将预烧和研磨后的粉料制成具有设定形状的坯体；将坯体从室温升温至烧结温度960℃-990℃，在烧结温度下保温1-24小时，使陶瓷烧结致密。本发明的制备方法，通过控制工艺参数，控制烧结过程中的结构变化和化学反应，从而控制性能参数。本方法制备的陶瓷材料，可以满足工业应用的要求。同时，本发明制备方法相比于已有工艺，可以明显降低能量消耗，对环境友好并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101552384A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810240323.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 清华大学
IPC: H01R4/66
Abstract: 本发明涉及一种直流接地极的埋设方法，属于电工领域电力系统接地技术。首先在土壤中开挖一个横截面为等腰梯形的环形坑槽，在环形坑槽的底部铺设焦炭层，将直流接地极埋入上述焦炭层的上方，在直流接地极上方铺设与接地极下方相同厚度的焦炭层；在焦炭层上方铺设土壤层，在土壤层的上方铺设绝缘层，在绝缘层上方回填土壤，使土壤与周围地面保持平整。本发明提出的直流接地极的埋设方法，其优点是：埋设过程简单易行，只需要在铺设直流接地极的过程中加入一层绝缘层，即可降低直流接地极的跨步电压。本发明的埋设方法不增加直流接地极的占地面积、不增加接地极尺寸、不增加建造经费，因此在经济上与已有的埋设方法相比投资更低。
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公开(公告)号：CN101383209A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810225055.7
申请日：2008-10-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明涉及一种无并联均压电容的特高压罐式避雷器，属于电工设备技术领域。包括避雷器罐体、阀片、阀片芯棒、均压罩、固定法兰等。阀片串叠在阀片芯棒上，形成阀片柱，四个阀片柱的两端分别固定在两个固定法兰上，形成一节阀片芯体，多节阀片芯体串联构成避雷器芯体。避雷器芯体置于避雷器罐体的中心线上，避雷器芯体的一端通过固定法兰与避雷器罐体相对固定，避雷器芯体的中部通过径向绝缘支架与避雷器罐体相对固定，避雷器芯体的另一端伸入均压罩内，并通过固定法兰固定在均压罩的底部。本发明避雷器使得避雷器整体的电位分布不均匀性小于15％，而且简化了特高压GIS罐式避雷器的结构，降低了产品成本。
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公开(公告)号：CN114487627B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210002177.X
申请日：2022-01-04
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本申请高电压技术领域，尤其涉及一种绝缘介质局部空间电荷测试方法、装置、设备及存储介质。其中，一种绝缘介质局部空间电荷测试方法，包括：在绝缘介质内部的电极上施加脉冲电压，使得绝缘介质内部产生不均匀电场；绝缘介质内部的局部空间电荷在不均匀电场的作用下产生超声信号并向外传播；基于时间反演算法，根据超声信号确定局部空间电荷的二维或三维分布情况。采用上述方案的本申请通过不均匀场的设计使得绝缘介质内部不同位置处的电场方向不同，进而监测局部空间电荷在不均匀电场的作用下产生的超声信号，从而实现对局部电荷的二维与三维的测量。
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公开(公告)号：CN115097218B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210889336.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种测量输电线路真型杆塔雷电响应的系统及方法。系统包括：冲击电流发生单元、回流极，分压单元、电压参考极、电流测量单元和判断单元；冲击电流发生单元通过电流测试导线与被测真型杆塔的塔顶电连接，冲击电流发生单元与回流极电连接，冲击电流发生单元向被测真型杆塔的塔顶注入冲击电流；分压单元通过电压测试导线与被测真型杆塔的塔顶电连接，分压单元与电压参考极电连接；电流测量单元通过信号传输线分别与电流测试导线和被测真型杆塔的架空地线电连接；判断单元分别与分压单元和电流测量单元电连接，判断单元根据电压信息、冲击电流信息和地线电流信息准确得出被测真型杆塔雷电响应的性能判断结果。
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