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公开(公告)号：CN1727503A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510028221.0
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22B9/00 , B22D1/00 , B22D11/115
CPC classification number: C22B9/02 , C22B9/023 , C22B21/06 , C22B21/066 , Y02P10/234
Abstract: 一种铸造技术领域的金属液多级电磁净化方法，采用多级分离器替换原有的单级分离器，多级分离器由两个或两个以上多通道直孔分离器通过无机高温粘结剂粘结在一起，各级分离器的配置应使得前一级分离器每个通道的中心线位置在后一级分离器中被分离器壁面所占据，而前一级分离通道的中心区域在后一级分离器的相应位置成为临近壁面的区域。本发明通过采用多级分离器替换原有的单级分离器，消除电磁分离的“盲区”，并实现电磁分离的“弱区”向“强区”的转化，大幅度提高感应磁场作用下大体积熔体内夹杂的去除效率。
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公开(公告)号：CN1701905A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510027053.3
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: B23K35/363 , B23K35/365
Abstract: 一种属于材料工程技术领域的铝制品无钎料钎焊涂层材料，本发明的组成及其重量百分比为：硅粉30～49％，氟铝酸钾盐20～30％，余量为合成树脂。本发明将配制好的涂料利用辊转印法均匀涂覆在经过去脂处理的铝材表面，涂层厚度控制在40um以下。制备好的涂层经150℃～220℃干燥处理后，在连续CAB钎焊工艺中表现出了优异的钎焊效果，达到了国内外先进水平。本发明很好地克服钎料涂镀和钎剂涂覆所带来的复杂工艺，使钎焊工艺简单可靠，钎焊接头性能稳定良好。
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公开(公告)号：CN1585037A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410025043.1
申请日：2004-06-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: G21F1/08
Abstract: 一种抗辐射屏蔽材料及其制备方法。用于复合材料制备领域。本发明抗辐射屏蔽材料以Pb、Ba、TiO2、TiB2作为抗辐射强化相，其组分的重量百分比：Pb2～10％，Ba 1～5％，TiO25～15％，TiB21～10％，余量为铝。首先在熔炼温度下将铝熔化，然后分别加入Pb、Ba、TiO2、TiB2抗辐射强化相，通过控制冷却速度和利用电磁场对熔体中抗辐射强化相的分布方式进行控制，使其在凝固组织中分布，形成材料的梯度结构，从而得到抗辐射自生梯度的复合材料。本发明的抗辐射自生复合梯度材料可以有效的降低航天器在外太空受高能带电粒子轰击的辐射伤害，还能有效保护航天器内电子元器件受到的外部和相互之间的干扰，而且还可以推广到其他领域。
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公开(公告)号：CN1585036A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410025044.6
申请日：2004-06-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种具有防辐射性能作用的复合涂层。属于复合材料领域。本发明包括：复合打底层、金属Pb层或/和陶瓷材料TiO2层，在清理过的LY12基体上先喷涂复合打底层，然后再在复合打底层上喷涂陶瓷材料TiO2层；或者在清理过的LY12基体上先喷涂复合打底层，然后再在复合打底层上喷涂金属Pb层；或者先在清理过的LY12基体上喷涂复合打底层，接着在复合打底层上喷涂陶瓷材料TiO2层，最后在陶瓷材料TiO2层上喷涂金属Pb层。本发明的屏蔽涂层体系具有良好的防外太空高能射线特别是χ射线、γ射线的能力，能显著地提高电子器件的使用寿命，具有良好的市场前景及经济、军事应用价值。
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公开(公告)号：CN1169980C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01142620.9
申请日：2001-12-11
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P10/234 , Y02P10/253
Abstract: 去除铝熔体中非金属夹杂物的装置，由电磁发生器、分离器和浇注系统三部分组成，分离器置于电磁发生器内部，并与浇注系统连接成一个整体，电磁发生器包括：感应线圈、变压器和高频电源，变压器的输入端与高频电源相连，感应线圈与变压器的输出端相连，分离器采用方形直通孔的陶瓷过滤器，其中单个方孔的尺寸为10mm×10mm，分离器置于感应线圈内，一端与浇注系统的入口连接，另一端与浇注系统的出口连接。本发明具有实质性特点和显著进步，在外加磁感应强度为0.1T、频率为20kHz的磁场中，可以在过滤器单个通孔横截面面积为100mm2左右时，只需大约5s的时间，即可去除熔体中90%以上大于10μm的非金属夹杂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1166791C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02110684.3
申请日：2002-01-29
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 用陶瓷过滤器过滤铝熔体中非金属夹杂物的方法属于铸造领域。本发明具体如下：(1)对陶瓷过滤器表面进行活性涂层，分别对泡沫陶瓷过滤器、氧化铝球和陶瓷颗粒进行涂层，(2)将涂有瓷釉的陶瓷过滤器放在由耐火材料做成的流道里，在流道外面放加热元件，用保温材料将可以加热的保温材料包裹起来，(3)在过滤铝熔体之前，将放有涂层的陶瓷过滤器加热至陶瓷过滤表面上的瓷釉熔融而具有粘性。本发明具有实质性特点和显著进步，对陶瓷过滤器进行活性涂层，减小了由于表面不润湿引起的阻力，可以在孔径较大的情况下捕获铝熔体中的细小夹杂物，其除杂效率可高达96%。
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公开(公告)号：CN1139666C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01139254.1
申请日：2001-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 过滤净化铝熔体夹杂物的搅拌活性熔剂起属于铸造领域，其成份配方重量百分比为：NaCl：30-35%，KCl：30-35%，NaAlF610-18%，NaF 5-10%，CaCl24-5%，NaCO32-7%，KCO30-3%，KBF44-5%。本发明具有实质性的特点和显著的进步，避免夹杂物重新返回到铝熔体中，避免铝熔体与空气中氧和水汽反应而产生二次夹杂物，避免熔融熔剂在搅拌过程与铝熔体反应，能够高效除去铝熔体中有害元素Fe。
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公开(公告)号：CN1472021A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03129393.X
申请日：2003-06-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22D27/02
Abstract: 一种自生增强体的高频磁场法细化工艺，属于复合材料领域。本发明在管状铸型的内表面涂敷一层含有细化元素的涂层，然后在合金液浇注成型的过程中，首先利用感生高频磁场对材料表面产生的加热效应，营造材料表面的细化环境，而后降低高频磁场对材料的加热效应，增强感生高频磁场对自生增强体的偏聚效应，迁移并重熔增强体，最后，使材料冷却凝固，获得表面性能优异的自生梯度复合材料。本发明能够在自生梯度复合材料的形成过程中针对性地完成表面偏聚增强体的细化，增加细化元素对增强体的跟随性，提高自生梯度复合材料的表面性能，节约制备成本。
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公开(公告)号：CN1450193A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03116807.8
申请日：2003-05-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种陶瓷表面的高能超声金属涂覆法，属于金属铸造领域。本发明以高能超声为手段，采用微细陶瓷粉末与金属液形成的复合材料作为金属涂层，通过高能超声实现微细陶瓷颗粒在金属基体中的均匀弥散分布，并以此为涂层在高能超声的作用下实现与陶瓷表面牢固粘接的金属涂覆。本发明可降低目前常用金属化温度，所用极细颗粒均匀分散于金属层中时，可显著减小金属与陶瓷间连接区域的热应力，实现陶瓷与金属的牢固连接。同时本方法对陶瓷材料的种类并无限制，可在各类陶瓷工件的表面制备金属涂层，涂层厚度可调，且可以在金属涂层中添加相应的陶瓷微粒，以调节涂层与基体陶瓷间的热应力状态，提高涂层与基体陶瓷间的结合力。
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公开(公告)号：CN1405345A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02145111.7
申请日：2002-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 熔体温度处理细化亚共晶铝硅合金晶粒方法属于连续铸造领域。方法具体如下：采用两个电阻炉和石墨坩埚进行高低温熔体的熔化，将铝合金放入高低温两容器中升温熔化温度，在合金开始熔化时加入1％－5％保护熔剂；将低温熔体迅速转移已经预热到600℃－650℃的熔化炉中降温，高温熔体则升温到850℃－950℃；扒去熔体表面熔剂膜，迅速将高温熔体浇入低温熔体中形成混合熔体；混合停留45秒至90秒后进行浇铸。本发明无需专用设备，细化效率很高，能够在较低成本的前提下大幅度地提高铝硅合金的力学性能，非常适合大规模工业生产，操作易行，无环境污染，保护性熔剂克服了熔体温度处理技术本身的诸多缺陷，使亚共晶铝硅合金拉伸强度平均提高40％，延伸率提高10％左右。
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