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公开(公告)号:CN203241308U
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201320271904.9
申请日:2013-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构,包括:由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底,在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区,在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极,在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁,谐振梁的一端连接于第一锚区,谐振梁的另一端连接于第二锚区,所述谐振梁立于衬底的上方且受激励电极的激励产生面内横向谐振。本实用新型能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。
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公开(公告)号:CN202609923U
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201220255769.4
申请日:2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本实用新型公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置,包括绝缘衬底和三个测试单元,每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥,磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面;磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽,在凹槽间形成台阶;多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶;第一测试单元中,多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行;第二测试单元和第三测试单元中,四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个,多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶,通过对三组五个多晶硅电阻的测试,进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
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公开(公告)号:CN221685485U
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202323070605.1
申请日:2023-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: G01C9/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于MEMS九轴传感器的运动姿态倾角测量仪,包括:微处理器、传感器、显示器、上位机,微处理器分别连接传感器、显示器、电源模块、上位机。传感器用于接收目标物体运动数据,并将运动数据传输至微处理器,本实用新型有两种工作模式,微处理器独立工作模式和上位机协同工作模式。微处理器中存储已知的解算程序,用于接收来自传感器输出的运动数据,并输出目标物体的倾角至显示器,上位机存储已知的改进阈值小波滤波算法程序,用于接收微处理器输出的电信号数据,输出目标物体的倾角至绘图仪。本实用新型测量精度高,结构简单,体积小,易于实施。
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公开(公告)号:CN202502063U
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201220004257.0
申请日:2012-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构,该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针,三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置,所有指针都指向中心,左下部多晶硅偏转指针和右下部多晶硅偏转指针结构完全相同,以测试结构竖直中心线左右镜向,上部多晶硅偏转指针位于中心,指针Ⅰ方向与下部的左右多晶硅偏转指针的指针Ⅱ、指针Ⅲ方向相反;整个测试结构制作在绝缘衬底上,除锚区及其上的金属电极外,在结构被释放后,驱动梁以及指针均处于悬浮状态,以便于释放残余应力并自由伸缩与偏转。本实用新型具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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