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公开(公告)号：CN108333696A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810328630.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种超导单光子探测器套管辅助光对准封装装置，包括底座，底座中部设置有套筒支撑柱，底座一端设置有同轴电缆连接头，套筒支撑柱外部设置有高精度套管，高精度套管顶部开口与光钎套筒连接，高精度套管内设置有探测器芯片，探测器芯片底部与套筒支撑柱顶部连接，光钎套筒顶部设置有光钎固定环，光钎套筒内设置有光钎，光钎套筒与探测器芯片之间设置有光学折射率匹配液，光钎底部与芯片光敏区接触，所述探测器芯片另一端通过点焊线与同轴电缆连接头连接。本发明借助高精度套管辅助定位，实现了超导探测器芯片与耦合光纤的精确对准，超导探测器芯片和光纤之间通过光学折射率匹配液减少了插入损耗。
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公开(公告)号：CN105576115B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510983562.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法，取BSCCO单晶分别热蒸发上下电极，再通过一次光刻以及离子束刻蚀，即可制作出厚度可达数微米的样品。该制备方法简单、可操作，可缩短样品制备周期和提高样品制备成功率，有利于制作超厚度样品。通过该制备工艺制备出的样品具有发连续波、可调谐、单色性好、功率高等优点。当样品厚度大于2μm时，有比较大的太赫兹辐射功率，可达几十微瓦，相较于传统的双面结样品，辐射功率最高可提高一个数量级，样品的频率可调范围可达500 GHz。
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公开(公告)号：CN104505458B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410693828.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/22
Abstract: 本发明公开了一种便携式连续可调太赫兹发生器，包括太赫兹波导、容器、容器盖子、固定件、半球透镜、加热电阻、低温温度计、BSCCO高温超导太赫兹源和电极板；所述的容器盖子将固定件封装在容器内；所述的半球透镜设在固定件中心，在半球透镜的背面的中心处设BSCCO高温超导太赫兹源，在固定件上紧临半球透镜黏贴加热电阻、低温温度计和电极板；电极板的四个电极、加热电阻的两个电极和低温温度计的两个电极通过漆包线经过容器引到外部；所述BSCCO高温超导太赫兹源的电极通过金线与电极板相连；所述的太赫兹波导插入容器的深度，恰好接触到固定件中心的半球透镜的半球面。该便携式连续可调太赫兹发生器，体积小巧，简单易用，成本低，方便携带和移动；可用电池驱动，系统简单，使用方便，降温速度快。
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公开(公告)号：CN107123730A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710242297.6
申请日：2017-04-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/2474 , H01L39/2493
Abstract: 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外的金膜与BSCCO单晶，之后在图形四周蒸发一层绝缘的SiO作为保护，经过蒸金、光刻得到上下电极图形，使用碘化钾腐蚀液刻蚀掉其他区域的金膜，制备出只有一个结的约瑟夫森表面结。该制备方法简单，克服了传统离子束刻蚀无法精确控制刻蚀的厚度从而无法制备出单个表面结的缺点，大大缩短了样品制备周期并提高了样品制备成功率，能制备出只有一个结的约瑟夫森表面结，特性不受内部结的干扰，对表面结特性的研究起到了重大的推动作用。
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公开(公告)号：CN107036718A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710474543.0
申请日：2017-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于零偏微波反射和超导氮化铌测辐射热计的检测器，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、环形器、微波源和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。环形器的三个端口分别连接微波源、超导氮化铌测辐射热计芯片和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。超导氮化铌测辐射热计芯片不连接偏置源。
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公开(公告)号：CN102867907B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210384063.2
申请日：2012-10-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性超导薄膜的方法，包括如下步骤：清洗基片，去除基片表面的有机污染物；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在涂覆聚酰亚胺膜的基片上直流溅射氮化铌超导薄膜；去除基片：将基片和聚酰亚胺膜剥离。本发明可以制备出厚度(微米量级)可控的柔性超导薄膜，扩大超导薄膜及器件的应用场合和范围。
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公开(公告)号：CN104752534B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510206393.6
申请日：2015-04-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18 , G01J1/42
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器，由N个串联的超导纳米线单元、N个不同阻值的并联电阻和光学谐振腔组成，所述N个不同阻值的电阻分别并联在N个超导纳米线单元的两端，所述光学谐振腔覆盖在N个串联的超导纳米线单元上层。本发明不仅能够实现光子数分辨，同时还具备了空间分辨的能力。本发明还公开了一种制备如上所述的超导纳米线单光子探测器的方法，整个工艺流程只需要进行一次纳米线图形的电子束曝光，有效降低了器件的制备成本。
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公开(公告)号：CN105742478A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610152652.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/2467
Abstract: 本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。该制备方法简单、可操作、样品厚度可控，可缩短样品制备周期并提高样品制备成功率。通过该制备工艺制备出的样品具有厚度可控、高质量、尺寸精度高等优点。
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公开(公告)号：CN105154840A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510628815.9
申请日：2015-09-28
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的WSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103575504A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310600853.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超导纳米线单光子探测器的光时域反射计，包括激光器、光纤环形器、超导纳米线单光子探测器和采集仪器，所述激光器产生的光脉冲通过光纤环形器耦合进入待测量光纤，所述光脉冲在待测量光纤中传输产生后向散射光，后向散射光通过光纤环形器的另一端口接入超导纳米线单光子探测器，超导纳米线单光子探测器输出的脉冲经过放大后被采集仪器读出。本发明能够提高探测距离，空间分辨率以及减少测量时间。
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