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公开(公告)号：CN1771639A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000221.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/0683
CPC classification number: H01S5/0683 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/0092 , H01S5/06226 , H01S5/06253 , H01S5/06256 , H04N9/3129
Abstract: 让相干光在显示屏上扫描从而使影像放映的显示装置中，需要相干光源的高速调制和层次显示。本发明提供一种相干光源及其控制方法，以及使用该相干光源的显示装置和激光显示器，通过向相干光源施加脉冲电流、产生等离子效果，可以高速地改变输出基本波的半导体激光器的振荡波长。通过波长的变化，从光波长变换元件产生的高次谐波的输出也随之变化，因此可以利用其来进行层次显示。
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公开(公告)号：CN1242393C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN01124909.9
申请日：2001-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G02F2203/18 , G11B7/1369 , G11B7/1381
Abstract: 本发明提供了一种能够形成超解析象光点以实施微小信息符号记录，并且在实施信息再生时不会由于旁瓣的增大而使信号恶化的光传感器，以及光信息记录再生装置。本发明所提供的一种光传感器，可以具有为了获得沿着与光盘(5)的径向方向形成相位差而分割成三个区域(3a)～(3c)的相位可变滤波器(3)，在实施信息记录时，由于可以在中央区域(3b)与两侧区域(3a)、(3c)间形成大小为π的相位差，所以可以在光盘(5)上的记录层处形成超解析象光点。在实施信息再生时，由于可以使相位可变滤波器(3)上的各区域(3a)～(3c)间的相位差为0，所以可以形成旁瓣比较少的、位于常规衍射极限尺寸下的光点。这种相位可变滤波器(3)可以由均匀定向液晶元件构成。
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公开(公告)号：CN1675698A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819796.0
申请日：2003-08-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/135 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1381 , G11B7/00455 , G11B7/127 , G11B7/1353 , G11B2007/0013
Abstract: 光信息处理装置包括：多波长光源，出射两个以上的不同波长的光；滤光器部，根据波长分离从所述多波长光源出射的光；聚光透镜，为了进行多波长记录，将由所述滤光器部分离的多个光聚光在同一点上。
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公开(公告)号：CN1193245C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01119278.X
申请日：2001-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/4219 , G02B6/4231 , G02F1/37 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/83192 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/0612 , H01S5/125
Abstract: 将半导体激光器和其一个基板表面上形成光波导的光波导器件设置在一装配件上。该半导体激光器和光波导器件，按照分别具有活性层和形成有光波导的一个表面朝向装配件的方式安装。用带有间隔物的粘合剂将该装配件与半导体激光器或光波导器件组合成一体，间隔物介于其间以保持均匀的间距，由此可自动地进行高度方向的位置调整，并在高精度光耦合的条件下进行安装。于是，得到一种光波导器件集成模块及其制作方法，其中半导体激光器和平面光波导器件以其高度方向的位置受控的方式被高精度地安装。
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公开(公告)号：CN1540813A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410028219.9
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1501358A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310102787.4
申请日：2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S3/1118 , H01S3/09415
Abstract: 一种超短脉冲激光装置包括：具有线性偏振的泵浦激光二极管；以线性偏振振荡的固体激光介质；保持偏振方向的光纤；和可饱和吸收器反射镜。该固体激光介质设置在该光纤和该可饱和吸收器反射镜之间。从该泵浦激光二极管发射的激光与该光纤的第一端面光学地耦合，从该光纤第二端面发射的激光泵浦该固体激光介质。该光纤的第一端面和该可饱和吸收器反射镜构成激光共振腔。用这种结构，可以以数百MHz的重复频率稳定地实现锁模。
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公开(公告)号：CN1398030A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126135.0
申请日：2002-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B6/4224 , G02B6/42 , G02B6/4234 , H01S5/02252 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/06256
Abstract: 本发明的课题是，在具有副支架、在上述副支架上形成的电极部和经焊接构件固定在上述电极部上的半导体激光器的激光光源中，提高半导体激光器的激光出射部在高度方向上的位置精度。在副支架23上，作为电极部形成有源区用电极24、相位调整区用电极25和DBR区用电极26。另外，在副支架23上配置多个挡块部31。用作为焊接构件的焊锡30将半导体激光器以与挡块部31相接的状态固定在电极部(有源区用电极24、相位调整区用电极25和DBR区用电极26)上。
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公开(公告)号：CN1351332A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01142783.3
申请日：2001-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , G02F1/3544 , G02F1/3775 , G02F2001/3546 , G11B7/0065 , H01S5/06256
Abstract: 提供具有半导体激光器和波长变换元件并控制为所希望的波长的短波长相干光源。由具有第1波长的半导体激光器1、作为用于使半导体激光器1的波长减半的波长变换元件的光波导型QPM－SHG器件2、波长分离功能7、衍射光栅8和受光元件9构成相干光源。通过利用波长分离功能7将作为基波光的半导体激光分离并使用衍射光栅8进行波长控制,将通过波长变换而得到的谐波光的波长控制为所希望的波长。
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公开(公告)号：CN101681078B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980000260.6
申请日：2009-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03B21/2033 , G02B27/48 , G03B21/2053 , G03B21/208 , G03B33/06
Abstract: 本发明提供的光源装置用相干光照明被照明物体，包括射出相干光的相干光源；和变动上述被照明物体的表面上的上述相干光的干涉图案的图案变动部，上述图案变动部包含：设置在上述相干光源和上述被照明物体之间且在上述相干光的光路上，表现出光折射效应的光折射晶体；和变动入射到上述光折射晶体的相干光的光强度分布、偏振方向、波长以及强度中的至少其中之一的变动部。
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公开(公告)号：CN101646976B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880008986.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/37
Abstract: 在让红外光射入波长转换元件得到作为波长转换光的绿色光时，由于在所述波长转换元件中产生作为所述红外光和所述绿色光的和频的紫外光而发生所述绿色光的吸收，由此时产生的热会引起构成所述波长转换元件的晶体破坏。在本发明的激光波长转换装置中，通过采用一种使红外光在波长转换元件中聚光的位置偏离在忽视所述产生的热的影响时为最佳的位置的结构，能够实现所述晶体破坏的抑制和高效率的波长转换，从而能够获得在以往的波长转换元件中难以得到的、超过数W的高输出的波长转换光。
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