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公开(公告)号：CN114268752A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111079648.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器和该图像传感器的操作方法。所述图像传感器包括：像素，其包括被配置为将感测到的光转换为电荷的光电转换装置以及存储从光电转换装置提供的电荷的浮置扩散节点；时序产生器，其被配置为在光感测时间段之前产生复位信号，并且在光感测时间段之后产生转移信号，所述复位信号包括用于能够擦除存储在光电转换装置和浮置扩散节点中的至少一个中的电荷的第一复位信号脉冲所述转移信号包括至少两个转移信号脉冲，每个转移信号脉冲使得存储在光电转换装置中的电荷能够移动至浮置扩散节点；以及读出电路，其被配置为通过对基于所述至少两个转移信号脉冲针对浮置扩散节点执行至少两次采样的结果求和来产生输出数据。
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公开(公告)号：CN112543293A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011010087.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐珉雄
IPC: H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146 , H02M3/07
Abstract: 公开电荷泵电路和包括电荷泵电路的图像传感器。所述电荷泵电路包括第一泵单元和第二泵单元。第一泵单元包括第一电容器和第一晶体管，并且通过使用时钟信号来生成第一节点电压。第二泵单元包括第二电容器、第二晶体管和第三晶体管，并且通过使用第一节点电压来生成负输出电压。时钟信号和第一节点电压各自在低电平电压与高电平电压之间进行切换。负输出电压的绝对值的幅度大于时钟信号的高电平电压的绝对值的幅度。第三晶体管的主体与第二晶体管的主体电隔离。
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公开(公告)号：CN112087585A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010189069.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种互补金属氧化物(CMOS)图像传感器CIS包括：多个像素，以二维(2D)阵列布置，并且各自包括光电二极管；多个模数转换器(ADC)，被配置为以像素为单位执行自动曝光(AE)；以及读出电路，被配置为按行读取像素的像素信号。多个像素和多个ADC的数量相同，并且以一一对应的方式彼此连接。多个ADC中的每一个对相应的一个像素执行AE。
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公开(公告)号：CN112637524B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010964195.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备包括：第一数字像素，包括第一光电检测器和第一存储单元，第一存储单元用于存储与来自第一光电检测器的第一输出相对应的第一数字信号；以及第二数字像素，包括第二光电检测器和第二存储单元，第二存储单元用于存储与来自第二光电检测器的第二输出相对应的第二数字信号，第二数字像素与第一数字像素的一侧相邻，第一存储单元和第二存储单元与多个位线相连，第一存储单元与第一字线和第三字线相连，第二存储单元与第二字线和第四字线相连，第二字线在第一字线与第三字线之间，并且第三字线在第二字线与第四字线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112087585B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010189069.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种互补金属氧化物(CMOS)图像传感器CIS包括：多个像素，以二维(2D)阵列布置，并且各自包括光电二极管；多个模数转换器(ADC)，被配置为以像素为单位执行自动曝光(AE)；以及读出电路，被配置为按行读取像素的像素信号。多个像素和多个ADC的数量相同，并且以一一对应的方式彼此连接。多个ADC中的每一个对相应的一个像素执行AE。
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公开(公告)号：CN116137685A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211449506.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/60
Abstract: 提供了一种模数转换器、图像感测装置及其信号处理方法，所述图像感测装置包括：像素阵列，所述像素阵列包括多个像素；以及模数转换器(ADC)，所述ADC被配置为将模拟信号转换成数字信号。所述ADC包括：第一电路，所述第一电路被配置为从所述多个像素当中的选定像素接收所述模拟信号并且生成第一输出信号；以及第二电路，所述第二电路包括选择晶体管，所述选择晶体管被配置为基于所述第一输出信号对电连接到所述选择晶体管的浮置节点施加电压。所述第二电路还包括：电容器，所述电容器并联连接在所述选择晶体管的栅极与漏极之间；以及输出电路，所述输出电路连接到所述浮置节点并且被配置为基于对所述浮置节点施加的所述电压来输出所述数字信号。
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公开(公告)号：CN115988346A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211261665.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中。多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电二极管、硅光电二极管、第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点、转换增益晶体管和驱动晶体管。由硅光电二极管生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电二极管生成的电荷在第二浮动扩散节点中累积。转换增益晶体管的一端连接到第一浮动扩散节点，并且另一端连接到第二浮动扩散节点。驱动晶体管被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。
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公开(公告)号：CN112019041A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010436533.X
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种电荷泵装置和包括该电荷泵装置的图像传感器。所述电荷泵装置被配置为从方波产生输出电压，其中，所述电荷泵装置包括：半导体层；第一外部阱和第二外部阱；形成在所述第一外部阱中的第一内部阱；形成在所述第二外部阱中的第二内部阱；被施加所述输入信号并且连接到所述第一外部阱的第一电容器；以及连接到所述第一电容器和所述第二外部阱的第二电容器，其中，所述第一电压被施加到所述第一外部阱，并且低于所述第一电压的电压被施加到所述第二外部阱。
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公开(公告)号：CN111556262A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010074076.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备，包括：数字像素，其包括光电检测器、比较器和存储器电路；像素驱动器，其控制数字像素；以及数字逻辑电路，其对从数字像素输出的数字信号执行数字信号处理操作。光电检测器和比较器的第一部分形成在第一半导体管芯中，比较器的第二部分、存储器电路和像素驱动器形成在第一半导体管芯下的第二半导体管芯中，并且数字逻辑电路形成在第二半导体管芯下的第三半导体管芯中。
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