晶体管、薄膜晶体管基板以及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN107408580A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201680017054.6

    申请日:2016-04-14

    Abstract: 本技术涉及在沟道层中使用氧化物半导体、并且能够抑制阈值电压的变动的晶体管、具备该晶体管的薄膜晶体管基板以及液晶显示装置。在晶体管中,从源电极(16)向漏电极(17)的方向上的、作为源电极(16)和沟道保护膜(5)在俯视时重叠的长度的交叠长(a)比从漏电极(17)向源电极(16)的方向上的、作为漏电极(17)和沟道保护膜(5)在俯视时重叠的长度的交叠长(b)长。

    液晶显示装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101464582B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200810188519.1

    申请日:2008-12-19

    CPC classification number: G02F1/133305 G02F1/133512 G02F2001/133354

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置,抑制由于与弯曲相伴的二个基板的位置偏移而发生显示不均,而得到高质量的显示图像。在具有弯曲显示面的液晶显示装置(10)中,沿着显示面的弯曲方向(Y)配置像素构造(11)的长边,在对置基板侧设置如下的黑矩阵:在将显示面的弯曲方向(Y)的长度尺寸设为L、将阵列基板的厚度尺寸设为T1、将对置基板的厚度尺寸设为T2、将阵列基板与对置基板的间隙的尺寸设为d、将弯曲显示面的曲率半径设为R、将设置于像素构造(11)内的像素电极(29)的长边的长度尺寸设为E时,黑矩阵开口部(41a)的弯曲方向(Y)的长度尺寸为E-L{(T1/2)+(T2/2)+d}/R以下。

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