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公开(公告)号：CN111286755A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010276982.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种电解-区域法制备高纯铟的方法，其是在电解法制得5N铟的一端放置铟籽晶，在密封、保护气体存在条件下，将加热区多次定向从5N铟带铟籽晶的一端移至另一端，制备获得高纯铟；本发明方法利用了电解提纯法选择性强、转化率高的优点，还利用了电解后增加籽晶的区熔物理提纯方法，对区熔工艺过程精确调控，可控性强，快速的达到制备超高纯铟的要求，本发明方法选择性高、提纯效率高、提纯时间短，为半导体行业提供优质的高纯金属材料。
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公开(公告)号：CN111394752A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010276983.7
申请日：2020-04-10
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种铟电解后除硫的方法，其以电解后阴极金属铟为原料，通过超声清洗，实现杂质硫的脱除，获得5N高纯铟；本发明方法配合电解制备高纯铟工艺，以超声清洗的方式脱去电解后阴极金属铟所含杂质硫元素，使一次电解产品达到5N标准；本发明方法操作简单，可控性高，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN114807635B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210489018.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 基于机器学习的多通道阵列式定向凝固制备高纯铟的方法，示以电解法制得5N铟作为原料，将原料放入真空室进行阵列式多通道定向凝固提纯，得到均匀排列的6N及以上高纯铟产品。本发明结合机器学习方法，建立了多种机器学习预测模型，通过十折交叉验证评估模型的准确性，对比评价不同机器学习模型，筛选出最佳的机器学习模型，预测高纯铟定向凝固的最佳实验参数范围，更快实现高纯铟定向凝固的工艺参数优化，具有选择性高、提纯效率高、可控性强的优点，能够为半导体行业提供优质的高纯金属材料。
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公开(公告)号：CN114655979A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210367328.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法，将砷化镓废料磨至0.15～0.25mm，按液固比3.5～4：1加入质量浓度30～40％的硫酸溶液，再加入质量浓度35％的双氧水，加热至90～100℃浸出，得到酸溶液；向酸溶液中加入氢氧化钙，使酸溶液中的砷形成砷钙渣，以除渣形式除去砷离子，滤液为硫酸镓溶液；或者用树脂吸附除去砷离子，得到硫酸镓溶液；向硫酸镓溶液中加入硫酸铵，得到硫酸镓铵溶液，加热蒸发，得到硫酸镓铵晶体；将硫酸镓铵晶体溶于水中，得到硫酸镓铵溶液，加热硫酸镓铵溶液至70～90℃，加热时间2～4小时，得到沉淀的氢氧化镓。本发明方法可将砷化镓废料中的Ga制备成氢氧化镓，操作简单，成本低，既解决了废料堆存问题，又可以制备出氢氧化镓。所得氢氧化镓可进一步制取镓或者氧化镓。
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公开(公告)号：CN117735855A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311753938.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 昆明理工大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C03C17/25 , C03B27/012
Abstract: 本发明公开了一种耐高温涂膜隔热钢化玻璃及制备方法，其特征在于，按如下制备步骤：在氧化物半导体纳米颗粒中加入有机硅低聚物、钛偶联剂、水溶性铋或锌盐、炔二醇型消泡剂以及有机溶剂组成隔热涂层浆料，将玻璃原片清洗，除静电，再将隔热涂层浆料辊涂或者喷涂于普通玻璃基体表面，并在160～280摄氏度下加热3～5分钟进行固化，然后推进钢化炉内，在650～700摄氏度下加热5～15分钟进行钢化，待冷却后得到耐高温隔热涂膜钢化玻璃；本发明的有益效果：有机硅低聚物大幅度提高了涂膜的力学强度，在烧结过程中硝酸盐或醋酸盐消除了微孔的存在，解决有机硅烧结过程中产生大量空隙的问题，氧化物半导体纳米颗粒作为隔热材料提高了涂膜的耐高温效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114655979B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210367328.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法，将砷化镓废料磨至0.15～0.25mm，按液固比3.5～4：1加入质量浓度30～40％的硫酸溶液，再加入质量浓度35％的双氧水，加热至90～100℃浸出，得到酸溶液；向酸溶液中加入氢氧化钙，使酸溶液中的砷形成砷钙渣，以除渣形式除去砷离子，滤液为硫酸镓溶液；或者用树脂吸附除去砷离子，得到硫酸镓溶液；向硫酸镓溶液中加入硫酸铵，得到硫酸镓铵溶液，加热蒸发，得到硫酸镓铵晶体；将硫酸镓铵晶体溶于水中，得到硫酸镓铵溶液，加热硫酸镓铵溶液至70～90℃，加热时间2～4小时，得到沉淀的氢氧化镓。本发明方法可将砷化镓废料中的Ga制备成氢氧化镓，操作简单，成本低，既解决了废料堆存问题，又可以制备出氢氧化镓。所得氢氧化镓可进一步制取镓或者氧化镓。
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公开(公告)号：CN114934198A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210487994.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 一种基于机器学习优化真空蒸馏制备高纯铟的方法，选择电解法制得的5N铟为原料，用真空蒸馏炉进行真空蒸馏两次提纯；根据两次提纯得到的工艺参数，构建高纯铟实验数据库，然后利用机器学习方法辅助解析真空蒸馏过程，建立多因素耦合的机器学习模型，预测产品质量并优化一定范围内的实验工艺参数，达到优化高纯铟真空蒸馏提纯工艺的目标。本发明借助机器学习方法，建立真空蒸馏优化模型，通过数据库数据，检验真空蒸馏模型准确性，预测并优化真空蒸馏实验工艺参数，实现高纯铟真空蒸馏提纯工艺优化，可提高高纯铟纯度，固化生产工艺参数，增强生产可控性，提高生产效率，为半导体行业提供优质的高纯金属材料。
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公开(公告)号：CN108823604B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810977839.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟；本发明方法能防止阳极泥污染电解液，并能选择透过有用离子，达到有效除去与In电位相近的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高、成本低，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN109735724A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910123218.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，其以4N金属铟为原料，在真空状态下通过一次真空蒸馏法制得6N高纯铟；本发明方法无“三废”排放，一次真空蒸馏法能有效除去饱和蒸气压与In相差较大的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN117736645A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311753924.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 昆明理工大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C09D183/02 , C09D7/61 , C09D7/63 , C03C17/00
Abstract: 本发明公开了一种涂膜隔热玻璃及其制备方法，包括普通玻璃和隔热涂层浆料，隔热镀层浆料锟涂或喷涂普通玻璃上，利用玻璃钢化工艺烧结后固化于玻璃表面；隔热镀膜层浆料按重量百分比计包含下列组分：聚合度不超过100的正硅酸甲酯或者正硅酸乙酯低聚物20％～60％，具有隔热功能的氧化物半导体纳米颗粒10％～30％，具有螯合交联作用的双官能团钛酸酯偶联剂0.1％～5％，有机溶剂10％～70％，分子型消泡剂0～0.1％，水0～70％。本发明通过硅烷低聚物和功能性偶联剂的使用，使得原料分子间的羟基缩合效应烧结时间更短，薄膜更加致密，力学强度更高；采用双官能团钛酸酯偶联剂，由于隔热功能的氧化物半导体纳米颗粒分散作用，使制成的涂膜玻璃既阻隔热量又不影响视觉。
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