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公开(公告)号：CN113471052A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110729927.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01J40/06 , H01J40/16 , H01L31/118 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110333564B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910200073.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：利用聚焦离子束对范德华层状材料进行刻蚀得到微纳结构；S2：将所制得的微纳结构置于100～1000℃下退火2～3h，即得到所述范德华激元材料微纳结构。本发明利用退火工艺对刻蚀后的微纳结构进行处理，可有效地使得样品表面的激元效应恢复。本发明提供的制备方法工艺简单，可以有效减少离子轰击对激元材料表面的影响，使得微纳结构仍然具有激元效应，为制备激元材料的微纳结构提供了一种新的手段。
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公开(公告)号：CN110600350B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910834161.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源，包括衬底、绝缘层、底部阴极电极、底部分段环状栅极电极、刻蚀通孔、顶部阴极电极、顶部环状栅极电极、生长源薄膜、纳米线冷阴极，所述顶部环状栅极电极通过刻蚀通孔分别与底部分段环状栅极电极相连，还公开了一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源的制备方法，包括以下步骤：制作底部阴极电极、底部分段环状栅极电极、绝缘层、刻蚀通孔、顶部阴极电极、顶部环状栅极电极，沉积生长源薄膜，热氧化生长纳米线冷阴极。该纳米冷阴极电子源具有强栅控电子发射能力且是具有可行列寻址双环栅结构。
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公开(公告)号：CN109904050B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910190110.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用，所述器件结构包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。本发明提供的器件结构制备工艺简单，能够实现二维原子晶体材料平面高效、低压的场发射调控，器件能耗较低，可作为片上集成场致电子发射结构在微纳真空电子器件上获得应用。
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公开(公告)号：CN107416808B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201710729825.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 中山大学
IPC: C01B32/188 , C01B32/162
Abstract: 本发明涉及一种一步制备石墨烯‐碳纳米管纳米复合结构的方法。本方法基于等离子体增强化学气相沉积原理，在含有催化元素的金属或半导体衬底上直接生长碳纳米管，同时在碳纳米管壁上直接外延生长石墨烯，形成以碳纳米管为基体的石墨烯片复合结构；在生长条件得到满足的情况下，碳纳米管和石墨烯片的尺寸会同时增大；石墨烯与碳纳米管界面以碳‐碳化学键结合方式，形成欧姆接触特性。本发明方法简单，一步实现石墨烯和碳纳米管的同时生长，这种新型的碳纳米复合结构在电子发射、能量转换、能量存储等器件中有着重要应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110333564A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910200073.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：利用聚焦离子束对范德华层状材料进行刻蚀得到微纳结构；S2：将所制得的微纳结构置于100～1000℃下退火2～3h，即得到所述范德华激元材料微纳结构。本发明利用退火工艺对刻蚀后的微纳结构进行处理，可有效地使得样品表面的激元效应恢复。本发明提供的制备方法工艺简单，可以有效减少离子轰击对激元材料表面的影响，使得微纳结构仍然具有激元效应，为制备激元材料的微纳结构提供了一种新的手段。
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公开(公告)号：CN110228811A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910410160.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种低维稀土硼化物纳米材料及其固相制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1催化剂薄膜合成：将催化剂沉积到衬底上；S2固相源热蒸发沉积：在载气的保护下，将硼源、无水稀土卤化物和衬底置于生长温度为700～1200℃，生长气压为0.1～100kPa下，蒸发、生长0.5～4h，在衬底上获得低维稀土硼化物纳米材料。可以使用不同催化剂在各种衬底上实现大面积、高密度、单晶稀土硼化物纳米结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN107633989B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710839735.7
申请日：2017-09-14
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种提高真空封装的冷阴极器件在高压下工作稳定性的排气方法，所述排气方法利用某些特定气体的高绝缘特性，在冷阴极真空器件排气过程中，通过引入高绝缘气体，减少易电离气体成分和形成阻隔易电离气体分子的电通路，对冷阴极进行老化和激活处理，提高冷阴极器件在高电压下工作的稳定性。本发明技术实现方法简单，在需要高压条件工作的冷阴极真空器件上，如冷阴极显示器、X射线源、微波器件等，有重要的应用前景。本发明还进一步公开了实施所述排气方法的高真空排气系统。
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公开(公告)号：CN109935508A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910234327.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其应用方法，所述器件结构包含由下往上依次层叠的阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极、第二绝缘层和离子收集电极；所述离子收集电极为具有若干个微孔的平铺电极，微孔孔径为1.5～3.5μm；所述阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极及第二绝缘层在微孔中向上凸起形成由内至外、由下往上依次套设的围合结构；所述微孔中的电子发射控制电极高出离子收集电极所在平面，形成火山口状栅孔，所述栅孔顶端与离子收集电极所在平面具有大于300nm的高度差；所述微孔中的阴极位于电子发射控制电极栅孔中，且不高于栅孔顶端；器件结构工作时，电子发射控制电极施加正偏压，离子收集电极施加负偏压。
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公开(公告)号：CN109904050A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910190110.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用，所述器件结构包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。本发明提供的器件结构制备工艺简单，能够实现二维原子晶体材料平面高效、低压的场发射调控，器件能耗较低，可作为片上集成场致电子发射结构在微纳真空电子器件上获得应用。
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