公开(公告)号：CN101330001A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710042351.9

申请日：2007-06-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种电容器的制作方法，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和第一导电层的半导体衬底上用原子层沉积法形成离散原子岛；对离散原子岛进行退火，形成离散球形颗粒，与第一导电层共同作为第一电极；在离散球形颗粒及第一导电层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二导电层，作为第二电极。形成均匀的离散原子岛，对离散原子岛进行退火后形成的离散球形颗粒也是均匀的，因此随着半导体器件的减小，使离散球形颗粒间不产生连接，进而增大电容器表面积，提高电容量。

公开(公告)号：CN101359593B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710044384.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108

Abstract: 一种金属-绝缘-金属型电容器的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一金属层；对第一金属层进行退火，形成带有分立金属颗粒的第一金属层，作为第一电极；在分立金属颗粒及分立金属颗粒间的第一金属层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二金属层，作为第二电极。本发明还提供金属-绝缘-金属型电容器、存储器单元及其形成方法。本发明第一电极包括第一金属层和位于第一金属层上的分立金属颗粒，分立金属颗粒可以增大金属-绝缘-金属型电容器第一电极的表面积，即使在芯片尺寸不断缩小，金属-绝缘-金属型电容器的电容量也不会减小。

公开(公告)号：CN100590803C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710042457.9

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：在原子层沉积室内放置半导体衬底；第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，在半导体衬底上形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底，去除没有形成第一单层的第一前体气体；第二前体气体流向在原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的化合物单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室，去除没有和第一前体气体的第二前体气体以及第一前体气体与第二前体气体反应的副产物。所述方法形成离散的化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为含有原子沉积方法形成的离散的化合物单层的介电层。

公开(公告)号：CN100537148C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610118833.3

申请日：2006-11-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 蒋莉 ,  臧伟 ,  季华 ,  小池正博

IPC: B24D17/00 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。

公开(公告)号：CN100590805C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710042463.4

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/11563

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向原子层沉积室；参考形成离散的化合物第一单层的工艺在半导体衬底上形成离散的第二化合物单层。所述方法在半导体衬底上形成离散的第一化合物单层和第二化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为包含采用原子沉积方法形成的离散的第一化合物单层和第二化合物单层的介电层。

公开(公告)号：CN100590804C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710042461.5

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健 ,  张复雄

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45529 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室；在半导体衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成离散的第二单层，并在第一介电层上形成覆盖第二单层的第二介电层。所述方法在半导体衬底上形成一层以上离散的化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为采用原子沉积方法形成的一层以上离散的化合物单层。

公开(公告)号：CN101359593A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710044384.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108

Abstract: 一种金属－绝缘－金属型电容器的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一金属层；对第一金属层进行退火，形成带有分立金属颗粒的第一金属层，作为第一电极；在分立金属颗粒及分立金属颗粒间的第一金属层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二金属层，作为第二电极。本发明还提供金属－绝缘－金属型电容器、存储器单元及其形成方法。本发明第一电极包括第一金属层和位于第一金属层上的分立金属颗粒，分立金属颗粒可以增大金属－绝缘－金属型电容器第一电极的表面积，即使在芯片尺寸不断缩小，金属－绝缘－金属型电容器的电容量也不会减小。

公开(公告)号：CN101206994A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610147434.X

申请日：2006-12-18

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 虞肖鹏 ,  张复雄 ,  季华

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306

Abstract: 一种沟槽制作方法，提供具有第一沟槽的半导体衬底，在沟槽以外的半导体衬底上外延生长半导体材料，形成第二沟槽。本发明的工艺方法可大大提高沟槽的深度。

公开(公告)号：CN101190508A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610118834.8

申请日：2006-11-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 蒋莉 ,  臧伟 ,  季华 ,  小池正博

IPC: B24D17/00 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。

公开(公告)号：CN101106109A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610028779.3

申请日：2006-07-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 洪中山 ,  金贤在 ,  季华

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种存储器件分离栅极的制造方法，包括：提供一具有复数沟槽和凸棱的半导体衬底；在所述沟槽内及凸棱上形成第一覆盖层；刻蚀所述第一覆盖层使其厚度介于所述沟槽深度的十分之一至二分之一之间；在所述沟槽侧壁、第一覆盖层和凸棱上形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层至沟槽侧壁及凸棱上的第二覆盖层全部被移除。本发明避免在沟槽中填充的第二覆盖层上形成空洞。