公开(公告)号：CN101329695B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710042459.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 黄俊诚 ,  赵芳芳

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明公开了一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法，包括，测量不同晶粒上的MOS管的噪声；根据所得到的MOS管的噪声值，建立噪声分布图；至少添加一个原有噪声模型文件中的噪声参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真；如果仿真结果不能够覆盖噪声分布图中的数据，则继续改变噪声参数的变化量的值进行仿真直到仿真结果能够覆盖噪声分布图中的噪声数据；如果仿真结果能够覆盖噪声分布图中的数据，则将相应的噪声参数的变化量的值代入到MOS管库文件中作为应用于噪声的MOS管模型。通过本发明方法得到的应用于噪声的模型能够较精确地模拟真实情况。

公开(公告)号：CN101090111A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200610027589.X

申请日：2006-06-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合到第一系统并包括第一栅极、位于第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极。第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，且该逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极。第一晶体管从多个晶体管中选择，且多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区。多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交。

公开(公告)号：CN100561738C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610027589.X

申请日：2006-06-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合到第一系统并包括第一栅极、位于第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极。第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，且该逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极。第一晶体管从多个晶体管中选择，且多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区。多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交。

公开(公告)号：CN101105518A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610028787.8

申请日：2006-07-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  黄俊诚 ,  郑敏祺 ,  程仁豪 ,  陈文桥

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。

公开(公告)号：CN1996593B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610023162.2

申请日：2006-01-04

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。