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公开(公告)号：CN103855300A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210513905.X
申请日：2012-12-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种相变存储器及其形成方法，其中所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层。本发明相变存储器的形成方法，环形电极和相变层的接触面积小于环形电极的顶表面的面积，相变存储器操作功耗低。
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公开(公告)号：CN103840078A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210492217.X
申请日：2012-11-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相变存储器区和外围电路区，所述外围电路区的半导体衬底上具有外围电路晶体管的栅极；形成相变存储器的底部电极的下电极部和外围电路晶体管的第一接触孔；形成所述相变存储器的底部电极的上电极部和外围电路晶体管的第二接触孔，所述上电极部位于所述下电极部上并互相连通，所述第二接触孔位于所述第一接触孔上并互相连通，所述上电极部的径宽小于所述下电极部的径宽；形成所述相变存储器的相变层；形成连接所述第二接触孔的沟槽和部分暴露所述相变层的通孔。这样的相变存储器的制作方法能确保第二接触孔中填充的导电材料不会出现填充空洞，保证了器件的有效工作。
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公开(公告)号：CN105448347B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410415020.5
申请日：2014-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 李莹
摘要： 本申请公开了一种相变存储器的测试方法，该测试方法包括以下步骤：读取相变存储器中的相变材料的相状态，并记为第一相态；向相变存储器施加第一组脉冲信号，设定第一组脉冲信号的信号幅度的参考上限值为Ka，设定第1次脉冲信号的信号幅度为Kb，并读取每次施加第一组脉冲信号之后的相变材料的相状态；向相变存储器施加信号幅度Kn＝Kb+c(n‑1)Kb的第n次脉冲信号，且如果Kn＜Ka且相变材料的相状态转变为第二相态，说明相变材料由第一相态转向第二相态的工作正常，如果Kn＞Ka且相变材料的相状态未转变为第二相态，说明相变材料由第一相态转向第二相态的工作不正常。该方法能够检测出相变存储器中的相转变工作是否正常。
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公开(公告)号：CN104518084B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310460164.8
申请日：2013-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 李莹
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内具有底部电极，所述底部电极的表面与衬底表面齐平；在所述衬底和底部电极表面形成掩膜层；在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极的表面；在所述第一开口侧壁表面形成侧墙，侧墙底部之间暴露出部分底部电极的表面，所述侧墙底部之间的距离小于侧墙顶部之间的距离；在所述侧墙之间的底部电极表面形成加热层以及位于所述加热层表面并填充满所述第一开口的相变层，所述加热层的表面低于掩膜层的表面；在所述相变层和掩膜层表面形成顶部电极。上述方法能够节约相变存储器的工艺成本。
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公开(公告)号：CN103840078B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210492217.X
申请日：2012-11-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相变存储器区和外围电路区，所述外围电路区的半导体衬底上具有外围电路晶体管的栅极；形成相变存储器的底部电极的下电极部和外围电路晶体管的第一接触孔；形成所述相变存储器的底部电极的上电极部和外围电路晶体管的第二接触孔，所述上电极部位于所述下电极部上并互相连通，所述第二接触孔位于所述第一接触孔上并互相连通，所述上电极部的径宽小于所述下电极部的径宽；形成所述相变存储器的相变层；形成连接所述第二接触孔的沟槽和部分暴露所述相变层的通孔。这样的相变存储器的制作方法能确保第二接触孔中填充的导电材料不会出现填充空洞，保证了器件的有效工作。
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公开(公告)号：CN105098066A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410205887.8
申请日：2014-05-15
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L21/306 , H01L27/2436 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： 本发明提供一种相变存储器及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的相变存储器的制造方法，具有形成覆盖相变层的顶面与侧壁的蚀刻停止层以及形成位于蚀刻停止层与金属间介电层之间的过渡层的步骤，因此可以避免对相变层的不当刻蚀并可以提高金属间介电层的附着力，从而可以提高相变存储器的良率。本发明的相变存储器采用上述方法制造，因而具有较高的良率。本发明的电子装置使用了上述相变存储器，因而同样具有上述优点。
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公开(公告)号：CN103296050A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210054246.8
申请日：2012-03-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种相变存储器及其制造方法，所述制造方法包括：形成半导体基底；在半导体基底上形成第一介质层；图形化第一介质层，形成与浅沟槽隔离区平行条形介质层，条形介质层之间形成露出部分选通二极管的开口；在条形介质层上、开口的侧壁上以及开口的底部覆盖导电层；图形化导电层，使位于开口底部的剩余导电层至少露出其下方的浅沟槽隔离区，还使剩余导电层至少露出深沟槽隔离区；向开口中填充介质材料，直至填满开口，形成第二介质层；通过平坦化工艺去除条形介质层上的导电层，使第一介质层、第二介质层和开口侧壁上的导电层齐平；在开口侧壁上的导电层上形成相变材料层。本发明可以简化相变存储器的结构和制造工艺。
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公开(公告)号：CN103296049A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210053872.5
申请日：2012-03-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：衬底，位于衬底上的存储单元阵列和电路单元，所述电路单元位于所述存储单元阵列周围，所述相变存储器还包括位于所述存储单元阵列和所述电路单元之间的、围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构。所述相变存储器的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上的存储单元区域形成存储单元阵列；在衬底上形成围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构；在衬底上沟槽隔离结构的周围区域形成电路单元。所述沟槽隔离结构可以使所述存储单元阵列和所述电路单元之间绝缘，可以减小存储单元阵列和电路单元之间的寄生二极管，以提高相变存储器的性能。
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公开(公告)号：CN105336378B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410314346.9
申请日：2014-07-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本发明提供一种相变存储单元测试结构及测试方法、相变存储器，所述相变存储单元测试结构至少包括：字线、位线、源线、监测线、相变电阻和选通管；所述位线连接所述相变电阻的一端，所述相变电阻的另一端连接所述选通管的一端，所述选通管的另一端连接所述源线，其中，所述源线接地；所述字线连接所述选通管的控制端，所述监测线连接在所述相变电阻和所述选通管之间。本发明的相变存储单元测试结构，通过增设监测线，从而将相变存储单元测试结构分为了两个测试部分，结构简单，能够更加准确的进行擦电流测试，更好地表征相变存储器器件单元的电学和存储性能。
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公开(公告)号：CN103839919B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201210483777.9
申请日：2012-11-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/28 , H01L21/768
摘要： 本公开涉及电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法。所述熔丝装置包括：熔丝元件，所述熔丝元件包含相变材料；以及第一电极，所述第一电极与所述熔丝元件接触，并且所述第一电极在与所述熔丝元件接触的部分处具有亚光刻尺寸。根据本公开，熔丝装置的断开电流相比于相关技术能够被减小。
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