公开(公告)号：CN102197168B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980143257.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  服部亮

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。