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公开(公告)号：CN113903858A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110764840.5
申请日：2021-07-07
Applicant: 保土谷化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性；a.制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角(温湿度：23℃、50％)为85°以上；b.玻璃化转变温度(Tg)为100℃以下；c.分子量为1000以下的低分子。一种金属图案化方法，其特征在于，将所述有机图案化层配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，并且在非透光部的布线区域选择性地形成金属膜。
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