纤维及其制备方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114438618B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202210255082.9

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 本发明提供了一种复合纤维及其制备方法,所述复合纤维具有由芯部部分和围绕所述芯部部分的鞘部部分构成的芯鞘结构,其中,所述芯部部分包括二维纳米导电材料,所述鞘部部分包括聚酰胺树脂,所述鞘部部分的平均厚度为3~30μm,所述复合纤维的拉伸强度为200~520MPa,并且,所述芯部部分中的二维纳米导电材料是沿着所述复合纤维的轴线方向取向的,另外,本发明的复合纤维可以通过同轴湿纺法而得到。

    MXene墨水及电磁辐射屏蔽材料构件
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115379749A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202110726757.9

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明提供一种MXene墨水及电磁辐射屏蔽材料构件,涉及电磁辐射屏蔽材料领域。该MXene墨水中的MXene纳米片层横向尺寸分布在1‑10μm,厚度为2‑10nm,所述MXene墨水浆料的固含量为10‑30wt%。其制备方法包括:将LiF与盐酸混合均匀,加入Ti3AlC2粉末并升温反应;离心水洗收集上层分散液,梯度离心获得大尺寸的MXene纳米片层。进一步地,可将该MXene墨水浆料制成图案化MXene电磁屏蔽二维构件和适形性MXene电磁屏蔽立体构件。在交变电磁场中,该构件具有可调节的电磁屏蔽效能,根据实际屏蔽应用场景,实现电磁屏蔽结构材料外形的灵活设计;并且该构件具有制备方法简单、材料利用率高、可规模化生产等诸多优点,解决现有金属电磁屏蔽材料适形性差、生产成本高及制备工艺复杂等问题。

    氧化石墨烯薄膜及其制备方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113816367A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111192312.3

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯薄膜的制备方法。本发明是结合了石墨的氧化方法优化和氧化石墨烯片层的官能团液相调控工艺,以实现调节氧化石墨烯片层间的化学结构的目的,因此综合改善了氧化石墨烯薄膜的取向度和层间氢键相互作用,从而显著提升了氧化石墨烯薄膜的机械性能。

    一种还原氧化石墨烯并制备导电纳米复合材料的方法

    公开(公告)号:CN102602915A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210054379.5

    申请日:2012-03-02

    Abstract: 本发明涉及了一种还原氧化石墨烯并制备导电纳米复合材料的方法,简单且有效的同时对氧化石墨烯进行功能化及还原的方法,通过与对苯二胺进行简单的回流即可实现,在氨水溶液中,氧化石墨烯上的环氧基团与对苯二胺的胺基反应而实现的。氧化石墨烯-对苯二胺的电导率增长到2.1×102S/m,相对于氧化石墨烯的电导率增加了将近9个数量级。此外,由于氧化石墨烯-对苯二胺在聚合物中良好分散,且被还原,将氧化石墨烯-对苯二胺加入到聚苯乙烯中有效改进了聚苯乙烯的电导率,复合材料渗流阈值低至0.34vol%,从绝缘到导电出现了一个急剧的转变。聚苯乙烯/氧化石墨烯-对苯二胺复合材料相对于聚苯乙烯,热稳定性也提高了8℃。

    一种石墨烯薄膜及其制备方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119349561A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411265436.3

    申请日:2024-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯薄膜及其制备方法。所述石墨烯薄膜由还原氧化石墨烯组成,并且所述还原氧化石墨烯具有可控的表面官能团和原子结构,其中,所述还原氧化石墨烯薄膜中,主要包含碳、氧、卤、氮原子。所述氧原子主要以氧官能团形式存在,包括羟基、环氧基和羰基,所述羟基、环氧基含量在11~32%,羰基在3.6~13.6%,卤原子和氮原子含量在1.5~3.9%。本发明以实现氧化石墨烯表面官能团及原子结构的调节,综合控制了石墨烯化学结构,为石墨烯薄膜的光学性质的调控提供了新的策略,从而实现了石墨烯红外辐射特性的调制。

    一种在宽温域内导电性能稳定的导电聚合物复合材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117736507A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311754465.1

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料技术领域,本发明公开了一种在宽温域内导电性能稳定的导电聚合物复合材料及其制备方法与应用。所述导电聚合物复合材料由双相Ga‑In合金、导电填料和预聚物制备得到。所得导电聚合物复合材料有效解决了在温度变化过程中由于导电填料和聚合物基体之间热机械行为不匹配导致的性能下降问题,为提升导电聚合物复合材料在宽温域内性能稳定以及可适用性提供了新思路。该导电聚合物复合材料在77~473K的宽温域范围内表现出良好的导电性能和电磁屏蔽性能稳定性,具有稳定性好、可调性高等特点,在导电复合材料、电磁屏蔽领域具有良好的应用前景。

    导电复合材料、导电墨水以及应用

    公开(公告)号:CN115651449A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211378403.0

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明提供了一种导电复合材料、导电墨水以及应用,所述导电复合材料包括:内核部以及外层部;所述内核部包括以下通式表示的二维过渡金属碳/氮化合物:Mn+1XnT其中,n为1~3的整数;M选自Sc、Ti、Zr、V、Nb、Cr或者Mo;X代表C或N元素;T表示一个或多个活性官能团;所述外层部包括芳香族多酚的聚合物,所述芳香族多酚具有两个以上的酚羟基。

    基于二维纳米导电材料的复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113096853A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110390112.2

    申请日:2021-04-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于二维纳米导电材料的复合材料及其制备方法,所述复合材料包括基底,以及在基底的至少一个主表面形成的导电层,所述基底由包括弹性材料的组合物形成,并且,所述基底表面具有连续或不连续的凸起;所述导电层包括二维纳米导电材料,所述二维纳米导电材料包括二维过渡金属碳/氮化合物,所述导电层平均厚度为10μm以下,并且,所述导电层至少部分地覆盖基底中存在所述凸起的区域,所述复合材料在经历形变时能够具有优良的电导稳定性,并且可以作为电磁屏蔽材料。

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