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公开(公告)号：CN104882780A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510316248.3
申请日：2015-06-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/16
CPC classification number: H01S5/12 , H01S3/0635 , H01S3/094 , H01S3/168 , H01S3/178 , H01S5/0211 , H01S5/36
Abstract: 一种薄膜型有机聚合物激光器的制备方法，将有机聚合物材料溶解在有机溶剂中，制成有机聚合物溶液；将有机聚合物溶液旋涂在无光栅结构或有光栅结构的基底上，获得厚度均匀的有机聚合物薄膜；对于无光栅结构的基底，将紫外激光干涉图案直接与有机聚合物薄膜作用，在有机聚合物薄膜上直写出单周期的光栅或不同周期、不同方向的光栅；对于有光栅结构的基底，则忽略；使用盐酸、水溶剂，浸泡附有有机聚合物薄膜的基底，有机聚合物薄膜自动剥离基底，形成带有光栅结构的有机聚合物薄膜。当外界光泵浦时，薄膜型有机聚合物激光器上的有机聚合物吸收泵浦光能量，发射出的荧光，在光栅作用下多次反射实现增益，从而获得激光输出。
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公开(公告)号：CN102651537B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110043450.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于有源波导光栅结构的有机半导体激光器的制作方法，属于纳米光电子材料及器件技术领域，包括以下步骤：1)制备荧光发射有机半导体材料的有机溶液；2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，获得厚度为50-500nm均匀的有机半导体薄膜；3)将记录介质旋涂在步骤2)中所制得的有机半导体薄膜上，获得厚度均匀的记录介质薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；4)将激光干涉图案与记录介质薄膜作用，形成高质量的记录介质分布反馈式结构。本发明方法无需使用昂贵的设备，成本低，制备效率高，激光模式良好，阈值低，适合制作电泵浦半导体激光器。
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公开(公告)号：CN102651537A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110043450.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于有源波导光栅结构的有机半导体激光器的制作方法，属于纳米光电子材料及器件技术领域，包括以下步骤：1)制备荧光发射有机半导体材料的有机溶液；2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，获得厚度为50-500nm均匀的有机半导体薄膜；3)将记录介质旋涂在步骤2)中所制得的有机半导体薄膜上，获得厚度均匀的记录介质薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；4)将激光干涉图案与记录介质薄膜作用，形成高质量的记录介质分布反馈式结构。本发明方法无需使用昂贵的设备，成本低，制备效率高，激光模式良好，阈值低，适合制作电泵浦半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101921986A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010233272.8
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构。
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公开(公告)号：CN101306878B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810114668.3
申请日：2008-06-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F3/30
Abstract: 本发明涉及CAST分段进水深度脱氮的过程控制装置及方法，属于SBR及其变型工艺污水生物脱氮技术领域。本发明采用分多次进水的运行方式与实时控制系统的集成，并充分利用了原污水中的有机碳源，最大程度上节省了外投碳源量，同时科学合理的分配每一阶段硝化、反硝化的时间。增加缺氧搅拌阶段，并采用变时长好氧/缺氧的方式运行，而控制好氧曝气和缺氧搅拌的时间由实时过程控制策略来实现。本发明不仅能够提高处理效率、降低了运行成本，而且在进水污染物浓度发生较大变化时，由于采用了在线实时过程控制仍能准确地控制交替好氧/缺氧时间，使整个系统的抗冲击负荷能力大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101698932A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910236797.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件。
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公开(公告)号：CN101609956A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910086809.X
申请日：2009-06-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种可调谐激光器的闭环反馈智能控制系统，属于光电子、激光、光学频率变换和光电子与光通信控制应用领域。该系统包括抽运源、可调谐激光器、数据采集系统、通信部分、执行机构和主机。抽运源发出的激光抽运可调谐激光器，可调谐激光器发出的激光经分光镜一部分被光栅单色仪接收，数据采集系统通过光栅单色仪采集分光镜的输出激光参数，并经通讯部分传送给主机，主机将采集的激光参数与在主机内预先设置的激光参数进行比较，根据二者之间的差值形成控制信号来控制机械转台的旋角，进而调节非线性晶体的角度，形成闭环控制。本发明能够实现对激光器的输出波长的自动定标、自动的完成功率检测和调节、波长和功率监测等多种功能。
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公开(公告)号：CN101434438A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810227685.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F3/30
Abstract: CAST分段进水同步脱氮除磷强化过程控制装置及方法属于SBR及其变型工艺污水生物脱氮技术领域。目前应用的CAST工艺脱氮除磷效果不理想。本发明装置包括有选择器、主反应区、进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、曝气器、空气压缩机滗水器、排水阀、排泥阀、实时控制系统，传感器。所述的实时控制系统用于控制包括连接在进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、空气压缩机、滗水器、排水阀以及排泥阀的时间继电器、计算机以及连接在计算机上的数据采集卡。本发明通过进水缺氧搅拌、进水厌氧搅拌、曝气、沉淀、排水，闲置工序实现同步脱氮除磷。本发明装置及方法具有脱氮除磷效果好，运行成本低，可实现智能化控制等优点。
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公开(公告)号：CN101402488A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810227052.7
申请日：2008-11-21
Applicant: 北京工业大学 , 北京华利嘉环境工程技术有限公司
IPC: C02F3/12
CPC classification number: Y02W10/15
Abstract: 本发明是CAST分段进水强化脱氮过程控制系统，适用于含氮工业废水处理和城镇污水强化处理。包括选择器、主反应区、进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、主反应区底部所设曝气器、连接在曝气器上的空气压缩机、排水阀、用于排放主反应区内剩余污泥的排泥阀和与计算机相连接的ORP、pH传感器和在线控制系统。在线控制系统与连接在进水泵、搅拌器、潜水搅拌器、回流污泥泵、空气压缩机、排水阀和排泥阀上的时间继电器相连。本发明采用在线控制策略控制生物脱氮过程中的好氧曝气和缺氧搅拌时间，解决了曝气或搅拌时间不足所引起的硝化或反硝化不完全和曝气或搅拌时间过长所带来的运行成本的提高和能源的浪费。
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公开(公告)号：CN101272029A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810104982.3
申请日：2008-04-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/00
Abstract: 本发明是一种全固态中红外光参量差频激光器，属于光电子、激光和光学频率变换应用领域。包括全固态激光器、可调谐半导体激光器、光参量放大系统和光参量差频激光器系统。由全固态激光器输出的抽运光与由可调谐半导体激光器输出的信号光在满足相位匹配条件下共线入射到光参量放大器，由光参量放大器输出的信号光和闲频光在满足相位匹配条件下，再经过会聚透镜后，入射到光参量差频激光器。组成光参量差频激光器的非线性晶体为ZnGeP2晶体。非线性晶体组成的DFG输出的可调谐的中红外激光的输出不需要宽带镀膜镜片；由于宽带的半导体激光器在一定的范围内的连续可调性，实现了中红激光波段的连续可调谐激光输出。
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