公开(公告)号：CN101951230B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010272606.2

申请日：2010-09-03

Applicant: 华东师范大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 苏杰 ,  陈磊 ,  赖宗声 ,  石春琦 ,  张书霖 ,  张伟 ,  刘盛富 ,  华林 ,  胡少坚 ,  王勇 ,  赵宇航 ,  陈寿面

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电路，进一步降低电路的噪声系数。其中共源共栅电路，在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。MOS和HBT偏置电路为共栅管和共源管提供稳定低噪声的偏置。偏置滤波电路滤除偏置上的射频信号稳定了偏置，使噪声系数减到最低。本发明可以广泛应用在GSM850，GSM900，DCS1800，PCS1900，WCDMA等现代无线通信标准中。

公开(公告)号：CN101951224A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010281785.6

申请日：2010-09-15

Applicant: 华东师范大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 华林 ,  陈磊 ,  赖宗声 ,  石春琦 ,  张伟 ,  刘盛富 ,  张书霖 ,  苏杰 ,  胡少坚 ,  王勇 ,  赵宇航 ,  陈寿面

IPC: H03D7/14

Abstract: 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。