公开(公告)号：CN112863805A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110015870.6

申请日：2021-01-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨文涛 ,  龚韦 ,  王鲜 ,  王韬 ,  聂彦

IPC: H01F7/06 ,  H01F7/18 ,  H01F7/08 ,  G05B19/05 ,  G05B19/19

Abstract: 本发明公开了一种可编程点阵磁场控制系统，该可编程点阵磁场控制系统包括远控单元、主控单元、驱动单元及磁控单元，所述磁控单元包括多个磁芯线圈。其中远控单元获取控制指令，将所述控制指令转化为磁场控制文件，主控单元将所述磁场控制文件转换为数字开关控制信号，驱动单元根据所述数字开关控制信号，生成磁芯线圈的电流控制信号，以控制磁芯线圈中的电流通断状态，磁控单元根据电流控制信号控制磁芯线圈生成的合成磁场，以驱动磁控机器人在磁控台上的运动轨迹。本发明技术方案能够根据控制指令生成磁芯线圈的电路控制信号，进而控制磁芯线圈生成的可调节的合成磁场，从而可以控制微型机器人的运动轨迹，提升了对微型机器人控制能力。

公开(公告)号：CN116819670A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310637468.0

申请日：2023-06-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王鲜 ,  邓子琛 ,  王韬 ,  龚荣洲

IPC: G02B5/28 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明属于红外‑激光隐身技术领域，公开了一种雷达透波的红外‑激光隐身薄膜，自下而上包括基底、光子晶体多层薄膜结构以及顶面图案化结构，光子晶体多层薄膜结构是由折射率一高一低的两种在红外波段透明介质材料交替堆叠排列构成；顶面图案化结构用于实现表面相位调控；利用光子晶体多层薄膜结构对波长在预设目标波长附近的入射波的相长干涉效应，配合顶面图案化结构，能够调控反射波波前，降低垂直方向的镜面反射。本发明基于光子晶体高反射多层薄膜结构，利用相长干涉效应配合相位调控图案结构，能够通过相位调控反射电磁波波前，从而将垂直反射的电磁波偏转到其他方向，可实现8‑14μm红外波高镜面反射到高散射的转换，抑制镜面反射。

公开(公告)号：CN115985673A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310170529.7

申请日：2023-02-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王鲜 ,  周章桥 ,  王韬 ,  聂彦 ,  龚荣洲

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/147

Abstract: 本发明涉及一种金属软磁粉末的高效绝缘包覆方法，属于软磁材料制备技术领域。将金属软磁粉末和聚合物加入到有机溶剂中，再进行造粒，获得表面包覆的金属软磁复合粉末；聚合物为硅烷聚合物、氮烷聚合物、硅氧烷聚合物或硅氮烷聚合物；然后压合成型，再加热固化，得到金属软磁复合材料，即实现金属软磁粉末的绝缘包覆。该方法将包覆、造粒、成型的工艺简化为造粒与包覆同步进行，并在退火过程中生成陶瓷包覆层；在性能方面，包裹于颗粒表面的陶瓷包覆层降低了金属软磁颗粒间的涡流损耗，得到低损耗的软磁复合材料；致密的陶瓷包覆层与填充于磁粉空隙处的包覆材料增加了软磁复合材料的防腐蚀效果；树脂与陶瓷包覆层的共同作用增强了磁心的机械强度。

公开(公告)号：CN113281572B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110548840.1

申请日：2021-05-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 龚荣洲 ,  覃维 ,  龚韦 ,  王鲜 ,  王韬

IPC: G01R27/26 ,  G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种材料微波复介电常数和复磁导率测试方法及系统，属于微波、毫米波测试领域，方法包括：获取样品材料在第一测试位置处的第一输入回波损耗、以及在第二测试位置处的第二输入回波损耗；根据样品传输系数和反射系数与第一输入回波损耗、第二输入回波损耗之间的函数关系计算样品传输系数和反射系数，该函数关系基于传输线理论和边界条件建立；根据复介电常数和复磁导率与样品传输系数、反射系数之间的函数关系计算复介电常数和复磁导率。仅基于不同位置处的输入回波损耗S11参数计算复介电常数和复磁导率，测量波束既可垂直入射也可大角度斜入射，还能通过控制测试位置避免现有测试方法中存在厚度谐振的问题。

公开(公告)号：CN113589205A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110854339.8

申请日：2021-07-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 谢丽娜 ,  沈茂康 ,  聂彦 ,  张悦 ,  王韬 ,  王鲜

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。