一种LED图形优化衬底及LED芯片

    公开(公告)号:CN103035801A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210545521.6

    申请日:2012-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥组成,每个圆锥的倾角α为55°~65°;相邻圆锥的边距d为0.4~0.6μm。本发明还公开了包括上述LED图形优化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,圆锥图形是目前工厂大规模LED芯片生产应用最广泛的图形之一,实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。

    一种圆锥簇型图案的LED图形优化衬底及LED芯片

    公开(公告)号:CN104465927B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201410714446.0

    申请日:2014-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种圆锥簇型图案的LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥簇组成;所述圆锥簇由一个大圆锥、多个中圆锥及多个小圆锥组成;所述多个中圆锥围绕大圆锥排列成一圈,形成中圆锥圈;所述多个小圆锥围绕中圆锥圈排列成一圈,形成小圆锥圈。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,圆锥簇增加了反射面积,对底部出光有明显的增益效果,特别适合用于覆晶封装;实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。

    一种LED芯片光提取率的预测方法

    公开(公告)号:CN104809272A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201510142039.1

    申请日:2015-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种LED芯片光提取率的预测方法,包括以下步骤:(1)采用计算机3D建模软件的建模功能构建封装基板模型;(2)采用计算机3D建模软件构建封装树脂模型;(3)采用TracePro软件导入LED封装模型及芯片模型,组成完整的LED封装模型;(4)构建靶面:采用TracePro软件自带的建模功能制作六个矩形靶面;(5)用TracePro中的BSDF函数中ABg模型功能设置光学参数;(6)利用TracePro软件的扫光系统收集记录数据;(7)预测光提取率。本发明在保证与实际情况相符合的前提下,缩短了建模过程和计算时间以提高效率,实现零成本优化。

    高性能的LED图形优化衬底及LED芯片

    公开(公告)号:CN104078541A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410284353.9

    申请日:2014-06-23

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/10

    Abstract: 本发明公开了高性能的LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成,每个圆台的高度H为0.5~4μm,上圆半径R上为0.1~1μm,下圆半径R下为1~3μm,R上<R下,相邻圆台的边距d为0.2~3μm。本发明还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本发明通过采用圆台型图形衬底,大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,而且圆台图案有利于形核,有利于外延生长高质量GaN晶体。

    一种具有混合图案的LED图形优化衬底及LED芯片

    公开(公告)号:CN103545412A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310530095.3

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01L33/20

    Abstract: 本发明公开了一种具有混合图案的LED图形优化衬底,衬底的图案由两种以上图案混合排列而成;同一种图案的尺寸、形状相同;所述图案可采用排列矩形方式或者采用六角排列方式。本发明还公开了包括上述具有混合图案的LED图形优化衬底的LED芯片。本发明通过采用具有混合图案的LED图形优化衬底,提高了LED芯片的光通量,得到更加高效的LED芯片。

    一种经图案优化的LED芯片的图形化衬底及LED芯片

    公开(公告)号:CN103022302A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210546191.2

    申请日:2012-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种经图案优化的LED芯片的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正三棱锥组成,正三棱锥的倾角α为60°~65°;相邻正三棱锥的间距d为所述正三棱锥的边长a的1~1.4倍。本发明还公开了包括上述的经图案优化的LED芯片的图形化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,正三棱锥图形符合GaN的晶格结构,实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。

Patent Agency Ranking