公开(公告)号：CN116564985A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310587176.0

申请日：2023-05-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  陈辉 ,  王子豪 ,  沈凡翔 ,  胡心怡 ,  常峻淞 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  程方龙 ,  段爽 ,  高党辉 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/63

Abstract: 本发明公开了一种有效降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，在P型半导体衬底中形成N型掺杂区，仅在N型掺杂区和复合介质栅MOSFET部分的源漏极底部之间保留部分P型半导体衬底。本发明通过将光电子收集区从衬底表面改为衬底内部，同时使栅氧界面和隔离结构侧壁处于空穴积累状，进而使得光电子收集区远离暗激发较为严重的栅氧界面和浅槽隔离侧壁，实现对暗电流的抑制，同时又不损失满阱容量。

公开(公告)号：CN116314223A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310130225.8

申请日：2023-02-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  陈辉 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  常峻淞 ,  胡心怡 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  程方龙 ,  段爽 ,  高党辉 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种有效降低随机电报噪声的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能区的分离；复合介质栅MOSFET部分包括复合介质栅结构、形成于衬底上方的鳍状结构以及埋层介质层，鳍状结构位于复合介质栅结构和埋层介质层之间；鳍状结构包括垂直于衬底的源极和漏极，其中，漏极与衬底相邻，源极位于漏极上方，源极和漏极中间为鳍状衬底。本发明有效提高了晶体管的沟道宽度，进而降低了光敏探测器的时域噪声，解决了当前由于光敏探测器尺寸减小所带来的噪声增加的问题。

公开(公告)号：CN116074650A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310045007.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  常峻淞 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  陈辉 ,  胡心怡 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H04N25/76 ,  H04N25/532 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种全局快门图像传感器像素单元及工作方法。该像素单元包括感光收集存储区和信号读取区，感光收集存储区包括衬底感光收集区、第一级电容器、信号存储区、第二级电容器和全局快门开关；全局快门开关包括快门第一端口、快门第二端口和快门第三端口，快门第一端口与信号存储区相连；感光收集存储区还设有对外电压接口，包括像素栅极、像素衬底、快门驱动和快门电源，像素栅极与第二级电容器的第二端口相连，像素衬底与衬底感光收集区相连，快门驱动与快门第二端口相连，快门电源与快门第三端口相连；信号读取区包括读取场效应管，用于输出信号存储区所存储信号。本发明只需要通过两个晶体管的精简结构可实现图像传感器全局曝光的功能。