公开(公告)号：CN118574028B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411028491.0

申请日：2024-07-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  陈辉 ,  常峻淞 ,  王子豪 ,  沈凡翔 ,  胡心怡 ,  程方龙 ,  高党辉 ,  段爽 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H04N25/70

Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的读出方法，属于集成电路领域。所述方法在复合介质栅光敏探测器的读出晶体管的源端连接一个电流源，通过对光敏探测器读取晶体管的栅端和漏端所加电压的控制使复合介质栅光敏探测器的读出晶体管在读取时工作在饱和区，实现源跟随器的功能，相比于典型的扫斜坡读出方法，该方法可以在数个时钟周期内完成从曝光到读取状态的转变，且不同于扫斜坡需要数百个时钟周期读取信号，该方法读取过程仅需要数个时钟周期，可以提供更快的读出速度，从而使得在读出过程中的双采样的时间间隔更小，有利于消除噪声；整个阵列的读出时间更短，有利于提高帧率。

公开(公告)号：CN116072692B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202310130063.8

申请日：2023-02-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  陈辉 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  常峻淞 ,  胡心怡 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  程方龙 ,  段爽 ,  高党辉 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者均包括复合介质栅结构，并通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能分离；复合介质栅结构自下而上包括底层介质层、浮栅、顶层介质层和控制栅；复合介质栅MOSFET部分的浮栅为非平面结构。本发明通过改变光敏探测器中的复合介质栅MOSFET结构，有效提高了晶体管的沟道宽度，进而降低了光敏探测器的时域噪声，解决了当前由于光敏探测器尺寸减小所带来的噪声增加的问题。

公开(公告)号：CN118571896A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202411047657.3

申请日：2024-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  陈辉 ,  常峻淞 ,  王子豪 ,  沈凡翔 ,  胡心怡 ,  程方龙 ,  高党辉 ,  段爽 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明公开了一种单读取管多感光管的复合介质栅光敏探测器，属于集成电路领域。所述复合介质栅光敏探测器具有单读取管多感光管的结构，针对该新型结构，本申请特别设计了复合介质栅的结构，使得多个感光晶体管共用一个读取晶体管，从而节省读取晶体管所占的面积，提高了感光晶体管的占空比；且由于多个感光晶体管共用一个读取晶体管，因此读出时可选择多个感光晶体管逐一读出或者多个感光晶体管合并读出，前者适合用于高分辨率的场景需求，后者由于多个像素做平均，有利于减小噪声，适合用于高信噪比的场景需求。

公开(公告)号：CN117217149A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311216459.0

申请日：2023-09-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  程方龙 ,  陈辉 ,  沈凡翔 ,  段爽 ,  高党辉 ,  王子豪 ,  胡心怡 ,  常峻淞 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM的光敏探测器仿真模型及其建模方法，应用于光敏探测器建模技术领域。该仿真模型包括电学模型和光电模型，电学模型采用BSIM模型，其结构与光敏探测器的等效模型相同，用来模拟光敏探测器的电学特性；光电模型包括RC电路，用来模拟光敏探测器的曝光、读取和复位过程。基于光敏探测器IV和CV测试数据，提取相应模型参数，对光敏探测器电学模型和光电模型的参数进行修正，得到优化后的基于BSIM光敏探测器模型。本发明提出了光敏探测器通用的模型及其建模方法，有助于提升光敏探测器设计的效率和准确性，缩短产品设计周期及降低成本。