公开(公告)号：CN114824815B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202210479413.7

申请日：2022-05-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  许兆华 ,  孙洪波 ,  任航

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了一种机械调控吸波性能的超材料及其耦合间距的机械调控方法，属于可重构超材料技术领域，超材料为双层结构，从下到上由下层超材料及上层超材料组成，双层结构之间具有一定间距；下层超材料从下到上依次由底部衬底层、下层介质层及下层图案层组成，上层超材料从下到上依次由上层图案层及上层介质层组成，其上均设置有周期性排布的图案结构，且图案结构几何互补成一个完整的闭合环状图形。本发明通过层间几何互补且中心对称的结构之间耦合作用的变化，引起等效电路模型电路结构和RLC参数的变化，使不同状态的超材料输入阻抗也发生变化；并利用机械调控模块和固定装置控制双层超材料层间距离的变化来实现对超材料整体吸波性能的调控。

公开(公告)号：CN118841726A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410838045.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  任航 ,  陈红 ,  王文雅 ,  张旭霖 ,  陈岐岱 ,  孙洪波

IPC: H01P1/10

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法，属于太赫兹片上有源器件技术领域，所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架；所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接，输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架为中空结构，自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构，从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑，通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料，产生光电流从而发生非厄米效应，进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。

公开(公告)号：CN116053894A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211723736.2

申请日：2022-12-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  王文雅 ,  任航 ,  孙洪波

IPC: H01S1/02 ,  H01P1/20 ,  H01P7/00

Abstract: 本发明公开了一种基于谐振环的全硅太赫兹频移芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述芯片为双层结构，双层结构由两个完全相同的全硅芯片组成，两个全硅芯片之间具有一定间距、相互平行放置且垂直投影完全重合；全硅芯片由两个锥形耦合器Ⅱ及位于两个锥形耦合器Ⅱ中间的全硅太赫兹芯片Ⅲ组成。本发明通过调节双层能谷光子晶体的层间距实现了能带以及色散调控，进而实现片上谐振腔谐振频率的大范围调节；首尾相连的封闭拓扑边界态上支持与克尔腔类似的谐振模式，且不受传统克尔谐振腔转弯半径的影响；受益于机械位移的连续性，本发明可以在不牺牲谐振腔品质因数Q的前提下连续调节谐振频率，因此拓展了现有太赫兹片上通信器件的调控自由度。