公开(公告)号：CN109704765A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910172463.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  李方喆 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495

Abstract: 具有准同型晶相结构的高致密化铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种高致密化铁电陶瓷及其制备方法。是要解决现有方法制备多晶多铁性陶瓷致密化低、极化小及磁电耦合实现困难的问题。该高致密化铁电陶瓷的通式是：Bi1-xRxFe1-yByO3。方法：一、Bi1-xRxFe1-yByO3纯相粉体的制备；二、将陶瓷粉体研磨，造粒，得造粒后的粉体；三、将造粒后的粉体烘干，预压成形，排胶，制备陶瓷素坯；四、制备Bi1-xRxFe1-yByO3陶瓷块体。该铁电陶瓷的晶粒尺寸细小，相对致密度高达95％～97％，具有均匀的铁电、反铁电、顺电三种相结构。陶瓷的铁电极化得到显著改善。本发明应用于铁电陶瓷领域。

公开(公告)号：CN106747423A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。