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公开(公告)号：CN108489632A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810241003.2
申请日：2018-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种提高荧光强度比技术测温精度的方法，本发明涉及一种提高荧光强度比技术测温精度的方法。本发明的目的是为了解决目前常用的荧光强度比技术测温精度较低的问题，具体的内容包括：(1)选取稀土离子热耦合能级对；(2)利用分段拟合的方法对这两个荧光带的强度比值进行标定，再利用玻尔兹曼热统计分布理论对荧光强度比值和温度之间的关系进行拟合，每个温度区间均得到一个拟合函数；(3)根据适合的拟合函数计算待测温度值。本发明利用分段拟合的思想能够将测温精度提高至少一个数量级。本发明能够切实解决荧光强度比技术中传统的整体拟合方法测温精度较低的弊端，显著提高荧光强度比技术的测温精度，本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号：CN109468133B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201811377267.7
申请日：2018-11-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高光学测温技术在高温区间灵敏度的温度敏感材料及其使用方法，本发明涉及一种提高光学测温技术在高温区间灵敏度的温度敏感材料及其使用方法。本发明的目的是为了解决现有的稀土离子荧光强度测温技术在较高温度区间内的相对灵敏度会急剧衰减的问题，在463到783K的温度范围内，稀土Tb3+离子所发出的位于520‑565nm波段的荧光的强度和温度之间有单调对应关系，所以可以用来进行温度的表征。基于该方法，所获得的相对灵敏度在463K温度处可以达到1.12％K‑1，明显优于目前常规光学方法所能达到的最高灵敏度，本发明应用于光学测温领域。
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公开(公告)号：CN108489632B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810241003.2
申请日：2018-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种提高荧光强度比技术测温精度的方法，本发明涉及一种提高荧光强度比技术测温精度的方法。本发明的目的是为了解决目前常用的荧光强度比技术测温精度较低的问题，具体的内容包括：(1)选取稀土离子热耦合能级对；(2)利用分段拟合的方法对这两个荧光带的强度比值进行标定，再利用玻尔兹曼热统计分布理论对荧光强度比值和温度之间的关系进行拟合，每个温度区间均得到一个拟合函数；(3)根据适合的拟合函数计算待测温度值。本发明利用分段拟合的思想能够将测温精度提高至少一个数量级。本发明能够切实解决荧光强度比技术中传统的整体拟合方法测温精度较低的弊端，显著提高荧光强度比技术的测温精度，本发明应用于稀土荧光测温领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108168730B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810241597.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法，本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题，方法：(1)制备测温样品；(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温，在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温；本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度，本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号：CN109945987A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910289888.8
申请日：2019-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种在较高温度区间实现高灵敏测温的方法，本发明涉及一种在较高温度区间实现高灵敏测温的方法。本发明的目的是为了解决现有的荧光强度比测温技术在较高温度区间灵敏度低的问题。本发明的技术路线如下：利用405nm激光二极管作为激发光源，激发CaWO4:Tb3+/Eu3+温度敏感材料，该温度敏感材料中心波长位于545nm的绿色荧光带和中心波长位于614nm的红色荧光带的强度比和温度呈现单调变化关系。基于此可以进行温度测量，能够在较高温度区间获得更加灵敏的温度响应，在610K附近相对灵敏度高达2.02％K-1，较传统方法提高近一个数量级。本发明应用于荧光强度比测温领域。
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公开(公告)号：CN108061608B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201810091505.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法，本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题，方法为：激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发，监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带，进行积分，并作出函数关系，将样品放置于待测环境，得到两个荧光带的强度比值，代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量，从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号：CN108168730A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810241597.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法，本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题，方法：(1)制备测温样品；(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温，在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温；本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度，本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号：CN108061608A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201810091505.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/00
CPC classification number: G01K11/006
Abstract: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法，本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题，方法为：激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发，监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带，进行积分，并作出函数关系，将样品放置于待测环境，得到两个荧光带的强度比值，代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量，从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。
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