公开(公告)号：CN101485975A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910071452.8

申请日：2009-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李中华 ,  肖宁 ,  高原

IPC: B01J21/06 ,  B82B3/00 ,  C01B3/04 ,  C01B3/22

CPC classification number: Y02E60/364

Abstract: 钛基纳米薄膜光催化剂的制备方法，它涉及一种薄膜光催化剂的制备方法。本发明解决了现有薄膜光催化剂的制备方法工艺复杂、耗工耗时、容易释放有害气体的问题。本发明方法如下：将钛片与氢氧化钠水溶液反应6h～20h，然后加入去离子水至氢氧化钠水溶液的浓度为0.5～6mol/L，然后取出钛片用去离子水清洗至洗液的pH值为7～9，然后用稀硝酸清洗钛片3～10min，再用去离子水清洗至洗液的pH值为6～8，再将钛片煅烧，然后随炉冷却至室温，即得钛基纳米薄膜光催化剂。本发明方法简便易行、反应时间短、清洁无污染、适于批量生产，采用本发明方法所得钛基纳米薄膜光催化剂的厚度为50nm～10μm。

公开(公告)号：CN102747345B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210250069.0

申请日：2012-07-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李宁 ,  田栋 ,  黎德育 ,  李冰 ,  肖宁 ,  刘瑞卿

IPC: C23C18/36 ,  C23C18/18

Abstract: 通过浸镍活化在PCB铜电路表面化学镀镍的方法，本发明涉及印刷电路板的铜电路表面化学镀镍方法。本发明是要解决现有的PCB制备过程中铜电路表面化学镀镍必须采用贵金属钯进行活化所导致的活化液稳定性低、易发生渗镀以及PCB制造成本高的技术问题。方法：一、用硼酸、有机酸或其钠盐、含硫化合物和硫酸镍配制浸镍液；二、PCB板前处理；三、浸镍活化及化学镀镍。本发明的浸镍液中添加了含有C＝S基团的化合物，可以改变铜和镍之间的电位关系，能够在铜表面实现金属镍的快速自发沉积得到催化层。本发明的方法用的浸镍活化法成本低，活化液稳定性高且避免了化学镀镍过程中渗镀现象的发生，可用于PCB铜电路表面的大规模工业生产。