数据校验方法和装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106055900A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610388294.9

    申请日:2016-06-02

    CPC classification number: G16Z99/00

    Abstract: 本发明公开了一种数据校验方法和装置。该方法包括:获取待校验数据文件,其中,待校验数据文件包括待校验的对象的标识;扫描待对比对象上设置的图形码以获取待对比对象的标识,其中,待对比对象为待与待校验数据文件中待校验的对象执行对比的对象,待对比对象的图形码用于获取待对比对象的标识;判断待校验数据文件中是否包括待对比对象的标识;以及如果判断出待校验数据文件中包括待对比对象的标识,确定待校验的对象中包括待对比对象,并对待校验的对象中的待对比对象执行第一标记。通过本发明,解决了相关技术中对已完成录入的数据执行数据校验易出现错误的问题。

    一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置

    公开(公告)号:CN119001384A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411119938.5

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本申请提供了一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置,该方法包括:获取实际工况中测量的多个螺线管线圈的实际感应电压;所述多个螺线管线圈分别设置在第一压接型半导体器件的侧面上,且与驱动控制端口位于不同区域;所述实际感应电压是当电流从所述第一压接型半导体器件的顶面流向底面时生成的;根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压之间的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态。本申请提供的压接型半导体器件的老化检测方法及装置实现了分析器件内部电流分布情况以评估器件的老化状态,确保半导体器件的可靠性和稳定性,提高老化检测的效率。

    IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置

    公开(公告)号:CN118566676A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410610609.4

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明提供了一种IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置,方法包括:根据预先建立的IGBT寄生电容模型,利用栅射电容电流、栅集电容电流及栅集电容电压,确定栅极电流表达式,并利用所述栅集电容电压,确定栅集电容表达式;根据所述栅极电流表达式及所述栅集电容表达式,得到集射极电压与栅极电压、栅集电容电压的关系式,并求解所述关系式,确定集射极电压随时间变化表达式。本发明通过确定集射极电压随时间变化表达式,实现利用观测IGBT器件栅极电压、栅极电流来估计集射极电压,实现准确高效地监测IGBT关断延迟过程集射极电压,为IGBT关断过程监测及分析提供依据。

Patent Agency Ranking