多边缘MoS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法

    公开(公告)号:CN104091931A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410339879.2

    申请日:2014-07-17

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: H01M4/36 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种多边缘MoS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法,其是由少层数的多边缘MoS2纳米片与石墨烯复合构成,MoS2与石墨烯之间的物质的量之比为1:1-1:4。其制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,再加入离子液体,并充分搅拌,然后依次加入L-半胱氨酸和钼酸钠,充分搅拌使其溶解,将上述混合分散体系转移到水热反应釜中,于230-250℃下水热反应24h后,自然冷却至室温,离心收集水热固体产物,经洗涤、干燥、热处理,制备得到多边缘MoS2纳米片/石墨烯复合纳米复合材料。本发明的方法具有简单、方便的特点,易于扩大工业化应用的优点。所制备的复合纳本材料具有广泛的应用。

    多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法

    公开(公告)号:CN104103833A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410339821.8

    申请日:2014-07-17

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: H01M4/583

    摘要: 本发明公开了一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及其制备方法,其化学贮镁活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯的复合纳米材料,复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2,复合电极的组分及其质量百分比含量为:多边缘WS2纳米片/石墨复合纳米材料为80%,乙炔黑10%,羧甲基纤维素5%,聚偏氟乙烯5%。制备步骤:先制备得到少层数的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料,将所制备的多复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成均匀的浆料,将该浆料均匀地涂到作为集流体的泡沫铜上,干燥后滚压获得。本发明制备的电化学贮镁复合电极具有高的电化学贮镁容量。

    多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法

    公开(公告)号:CN104103810B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410339795.9

    申请日:2014-07-17

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极及其制备方法,其化学贮锂活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯的复合纳米材料,复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2,复合电极的组分及其质量百分比含量为:多边缘WS2纳米片/石墨复合纳米材料为80?85%,乙炔黑5?10%,聚偏氟乙烯5?10%。制备步骤:先制备得到少层数的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料,将所制备的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成均匀的浆料,涂到铜箔上滚压后制备得到复合电极。本发明制备的多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极具有高的电化学贮锂容量。

    多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法

    公开(公告)号:CN104103818A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410339843.4

    申请日:2014-07-17

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法,其由少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯复合构成,WS2纳米片与石墨烯之间的物质的量之比为1∶1-1∶4。制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,再加入离子液体,并充分搅拌,然后依次加入L-半胱氨酸和硫代钨酸铵,充分搅拌使其溶解,将上述混合分散体系转移到水热反应釜中,于240℃下水热反应24h后,自然冷却至室温,离心收集水热固体产物,用去离子水充分洗涤,干燥,最后热处理,制备得到多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米复合材料。本发明的方法具有简单、方便、易于扩大工业化应用的优点。