公开(公告)号：CN105606840A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510795205.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 埃斯普罗光电股份公司

Inventor： B·德科伊

IPC: G01P3/38 ,  G01P15/00 ,  G01B11/26

Abstract: 本发明涉及一种旋转角传感器系统，用于检测沿转动轴线延伸的转动轴的转动角位置和/或角速度，具有至少两个在转动轴上的光学标记，具有包括含有像素点的像素矩阵的光学传感器，具有用于在像素矩阵上沿基本上轴向的方向将各个标记成像为标记图像的成像装置，以及具有用于读取和分析处理像素矩阵以用于确定关于转动角位置和/或角速度的数据的分析处理装置，其中，标记、成像装置和像素点这样设计，使得在像素矩阵上的标记图像至少具有一个像素点的面积，其中，分析处理装置设计为用于，确定在像素矩阵上的标记图像的中心的位置。特别是可以确定在子矩阵部分中在像素矩阵上的标记图像的中心。

公开(公告)号：CN102891154A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210319474.3

申请日：2012-07-20

Applicant: 埃斯普罗光电股份公司

Inventor： M·波普 ,  B·德科伊 ,  M·安尼斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。