基于双六边形环结构的高增益高方向性超材料微带天线

    公开(公告)号:CN112038763A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010867596.0

    申请日:2020-08-26

    摘要: 本发明涉及通信天线技术领域,一种基于双六边形环结构的高增益高方向性超材料微带天线,将两个大小相同、水平排列连接在一起的正六边形金属铜环作为超材料单元,若干个处于同一水平面上的横向连接纵向不连接的超材料单元构成超表面谐振器,超表面谐振器粘接在上覆层介质基板上作为超材料上覆层,将超材料上覆层加载于同轴馈电的微带天线上,构成高增益高方向性超材料微带天线,同轴馈电的微带天线包括微带贴片、同轴馈电探针、天线基板、金属接地板,微带贴片处于天线基板中部,微带贴片(3)上设置有同轴馈电探针。由于法布里-珀罗谐振腔效应,超材料相对较高的反射特性有助于增强天线的增益。

    一种非封闭式电磁屏蔽室
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111757660A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010680577.7

    申请日:2020-07-15

    IPC分类号: H05K9/00

    摘要: 本发明涉及一种非封闭式电磁屏蔽室,可在保证金属壳的电磁屏蔽效果下获得一个可与外界的直接交互渠道,便于满足通风透气、对流散热等各种传统封闭式电磁屏蔽装置无法实现的需求;本发明采用的棱柱装置的几何尺寸(内正方形边长2n与外正方形边长2m)和内部放置的金属挡板与通道口的相对距离d可以提前进行设计,可针对于实施的具体环境进行调整;对于通道口的形状和大小没有任何的限制,只要金属挡板能够填充或覆盖通道口,并将其放在棱柱装置中心部分中就可以实现,非常灵活。

    一种测量荧光物质微位移的纳流通道-谐振腔耦合结构

    公开(公告)号:CN111638196A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010425981.X

    申请日:2020-05-19

    IPC分类号: G01N21/64 B82Y15/00

    摘要: 本发明属于荧光检测领域,为了解决现有技术中荧光物质微位移和移动速度难以准确测量的问题,提供了一种测量荧光物质微位移的纳流通道-谐振腔耦合结构,包括纳流通道、环形谐振腔和波导,所述纳流通道和波导分别设置在环形谐振腔的两侧,且所述纳流通道内填充含有荧光物质的生物溶液。本发明结构简单,可以应用于荧光物质微位移及移动速度检测领域。

    一种光波单向传输的二维六方氮化硼光子晶体异质结构

    公开(公告)号:CN110441859B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201910651222.2

    申请日:2019-07-18

    IPC分类号: G02B6/122

    摘要: 本发明属于量子光学材料技术领域,公开了一种光波单向传输的二维六方氮化硼光子晶体异质结构,包括二氧化硅基底,所述二氧化硅基底上方以异质结界面为界,左侧设置有在空气中周期性排列的多个hBN柱,形成第一光子晶体结构PhC1;右侧设置有hBN基底层,所述hBN基底层上刻蚀有呈周期性排列的多个空气孔,形成第二光子晶体结构PhC2;所述hBN柱的高度和空气孔的深度等于所述hBN基底层的厚度;所述异质结界面与光波入射方向的夹角为30°。本发明可以实现TM线偏振光波单向传输,可广泛应用于基于hBN材料的其他光集成通信及信息处理器件。

    一种固定偏转角的新型光束偏转器

    公开(公告)号:CN111290060A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010252870.3

    申请日:2020-04-02

    IPC分类号: G02B5/00 G02B27/14

    摘要: 本发明涉及光路偏转调控领域。一种可以让入射电磁波按照固定角度偏转的光束偏转器,该光束偏转器由均匀的各向异性介质构成,光线的有效入射面与有效出射面都为平面且面积相等,偏转角度ɑ等于光线的入射面与出射面的夹角。本专利实现了用均匀介质对任意固定偏转角度的偏转;对任意的入射角度的电磁波都可以产生一个固定的偏转角度,偏转角度与入射角无关,与器件的几何尺寸有关;可以通过改变器件(光束偏转器)结构实现对任意角度的偏转。

    一种实现光波单向高透射的椭圆光子晶体异质结构

    公开(公告)号:CN110231679A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910410806.0

    申请日:2019-05-17

    IPC分类号: G02B6/122 G02B6/12

    摘要: 本发明属于光学器件领域,公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构,包括方形二氧化硅基底,所述二氧化硅基底上生长有薄硅层;所述薄硅层上以异质结界面为界,所述二氧化硅基底上以位于对角异质结界面为界,左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱,形成第一光子晶体结构PC1,右侧均匀刻蚀有周期性排列的多个椭圆空气孔,形成第二光子晶体结构PC2;所述异质结界面2与光波入射方向的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率,实现了高正向透射的单向传输特性,可以广泛应用于量子光学领域。

    一种提高荧光物质定向发光的微透镜复合微流通道

    公开(公告)号:CN110220874A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910451734.4

    申请日:2019-05-28

    IPC分类号: G01N21/64 G01N21/01

    摘要: 本发明属于荧光检测领域,提供了一种提高荧光物质定向发光的微透镜复合微流通道结构,包括玻璃基底,所述玻璃基底上镀有厚度大于等于100nm的金属膜,所述金属膜上方设置有水平放置的微流管,所述微流管内设置有含有荧光物质的溶液;所述微流管为“跑道”型电介质柱体正中间刻蚀空心圆柱形成,所述“跑道”型电介质柱体的上端和下端为圆弧状,左右两端为竖直状。本发明可获得较大的增强倍数,可以广泛应用于荧光检测领域。

    一种增强宽谱光吸收的二维光子晶体复合结构

    公开(公告)号:CN105068184B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201510442860.5

    申请日:2015-07-24

    IPC分类号: G02B6/122

    摘要: 一种增强宽谱光吸收的二维光子晶体复合结构是由吸收层和反射层复合而构成;所述吸收层是在非金属材料Si的上端面开设有二维周期性倒金字塔型槽光子晶体结构,并在倒金字塔型槽内填充有聚合物薄膜或者胶体量子点薄膜;所述反射层是在非金属材料Si底端面x方向和y方向开设有随机棱锥槽,并在底端面表面涂覆金属材料Au。本复合结构同时实现了p偏振和s偏振入射光从紫外至红外波段,甚至更宽波段的高效、宽带、宽角度电磁波的吸收增强,且在红外波段超过了Yablonovitch极限,也实现了吸收层表面的倒金字塔形槽内以及由吸收层表面的倒金字塔和反射层构成的腔内电场的大幅增强,特别在太阳能电池、光电检测、军事隐身等方面具有很大的应用前景。

    一种提高量子点远场发射效率的光子晶体级联结构

    公开(公告)号:CN103869389B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201410136531.3

    申请日:2014-04-08

    IPC分类号: G02B5/00 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种提高量子点远场发射效率的光子晶体级联结构,在具有二维周期排列圆孔的低折射率材料基底表面旋涂一层高折射率材料,并在竖直方向上等间距级联四层上述结构,层间与下三层的圆孔部分由低折射率材料填充,顶层圆孔为空气孔。通过优化孔深、高折射率材料层厚度以及层间距,可实现光子晶体泄漏模式与量子点光吸收和荧光发射在波长上高效耦合。将量子点嵌入光子晶体级联结构顶层泄漏模式处可以提高量子点的光吸收和荧光提取效率,从而提高量子点传感器的灵敏度及发光器件的远场发射效率。利用本发明,解决了传统光耦合结构不能在两个发射波长范围内提高双荧光峰量子点或发光波长不同的单荧光峰量子点的远场发射效率的问题。

    一种提高量子点远场发射效率的光子晶体级联结构

    公开(公告)号:CN103869389A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410136531.3

    申请日:2014-04-08

    IPC分类号: G02B5/00 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种提高量子点远场发射效率的光子晶体级联结构,在具有二维周期排列圆孔的低折射率材料基底表面旋涂一层高折射率材料,并在竖直方向上等间距级联四层上述结构,层间与下三层的圆孔部分由低折射率材料填充,顶层圆孔为空气孔。通过优化孔深、高折射率材料层厚度以及层间距,可实现光子晶体泄漏模式与量子点光吸收和荧光发射在波长上高效耦合。将量子点嵌入光子晶体级联结构顶层泄漏模式处可以提高量子点的光吸收和荧光提取效率,从而提高量子点传感器的灵敏度及发光器件的远场发射效率。利用本发明,解决了传统光耦合结构不能在两个发射波长范围内提高双荧光峰量子点或发光波长不同的单荧光峰量子点的远场发射效率的问题。