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公开(公告)号：CN116964514A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019191.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种光学调制元件、光快门及光调制方法，所述光学调制元件具有：基板(11)；电极层(12)，设置于基板(11)上；介电层(13)，设置于电极层(12)上；及光吸收层(14)，设置于介电层(13)上且包含无机纳米粒子，并且无机纳米粒子通过光照射而显示局域表面等离激元共振，所述光快门包括光学调制元件，所述光调制方法为如下方法：使施加到光学调制元件的光吸收层上的电压发生变化而对入射到光学调制元件上的光的反射光或透射光进行动态调制。
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公开(公告)号：CN110475916A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880019481.7
申请日：2018-03-02
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种包含含有12族元素及16族元素的12-16族半导体、含有13族元素及15族元素的13-15族半导体或含有14族元素的14族半导体，且等离子体频率为1.7×1014rad/s～4.7×1014rad/s，最大长度为1nm～2,000nm的半导体粒子、使用上述半导体粒子的分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件或辐射冷却装置。
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公开(公告)号：CN109996762A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780071507.8
申请日：2017-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高、发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子为如下核壳粒子：其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出硅，根据X射线光电子能谱分析求出的硅相对于核中所包含的III族元素的摩尔比为3.1以下。
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公开(公告)号：CN103733345B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280038731.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/14658 , H01L27/14659 , H01L27/3234 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H05B33/10 , H05B33/26
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>O，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，经由氧化物半导体层可以导通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103733345A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038731.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/14658 , H01L27/14659 , H01L27/3234 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H05B33/10 , H05B33/26
Abstract: 一种薄膜晶体管，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>0，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，彼此分离配置，经由氧化物半导体层可以导通。
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公开(公告)号：CN103688364A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035996.9
申请日：2012-06-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G01T1/24 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L27/156 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。
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公开(公告)号：CN115699337A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039868.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 小野雅司
IPC: H01L31/10 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体膜，其包含含有金属原子的半导体量子点的聚集体及配位于半导体量子点的配体，其中半导体膜的光学特性中的激子吸收峰的半峰半宽为60nm以下。本发明还提供一种半导体膜的制造方法、光检测元件及图像传感器。
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公开(公告)号：CN115066757A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013675.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0248 , B82Y20/00 , H01L21/368 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体膜，其包含含有Pb原子的半导体量子点的集合体和与半导体量子点配位的配体，1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.20以下。也提供一种包含半导体膜的光检测元件及图像传感器。也提供一种半导体膜的制造方法。
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