一种MXene凹凸土复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111905574B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202010677185.5

    申请日:2020-07-14

    摘要: 本发明提供了一种MXene凹凸土复合膜及其制备方法,包括以下步骤:将活化后的凹凸土加入到分散剂溶液中,制成一定浓度的凹凸土分散液;向凹凸土分散液中加入MXene悬浮液;经过超声、搅拌、洗涤、干燥后,得到MXene凹凸土复合材料;将MXene凹凸土复合材料按照预设浓度进行配制,加工后形成MXene凹凸土复合膜。本发明实施例由于活化分散后的凹凸土活性位点更多,尺寸分布更加均匀,可有效与含有丰富官能团的MXene结合,凹凸土是呈棒状结构,其为纳米粒子,在成膜的过程可以进入到MXene的层与层之间,增大其层间距,在对排斥率没有影响的情况下,有效提高膜的水通量,且凹凸土可对染料起到一定的吸附作用,有效提高对废水的处理效率,更便于使用。

    一种静电自组装三维花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110416501B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201910516386.4

    申请日:2019-06-14

    IPC分类号: H01M4/36 H01M4/48 H01M4/58

    摘要: 本发明公开一种静电自组装三维花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用,所述复合材料是将可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液的混合溶液在150~280℃进行保温处理,将抽滤干燥后得到的三维花状二硫化钴加入聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液中搅拌,将离心洗涤后得到的带正电的花状二硫化钴加入GO水溶液中搅拌后静置,离心洗涤后冷冻干燥,在保护气氛下,将所得固体升温至500~700℃煅烧制得。本发明通过静电作用将具有三维花状的二硫化钴自组装在rGO纳米片基体上,能够有效的容纳二硫化钴在充放电过程中的体积效应,导电性能好。复合材料具有优异的充放电循环性能和倍率性能和高的首次库伦效率。

    一种自催化低介电聚酰亚胺材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112062957B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202010677168.1

    申请日:2020-07-14

    IPC分类号: C08G73/10 C08J5/18 C08L79/08

    摘要: 本发明提供了一种自催化低介电聚酰亚胺材料的制备方法,包括以下步骤:将二元胺单体与二元酐单体先后溶解于有机溶剂中,其中,二元酐单体分批加入;在氮气或氩气气氛、室温环境下,经预设时间反应制得聚酰胺酸溶液;将聚酰胺酸溶液旋转涂布,得到聚酰胺酸薄膜;将聚酰胺酸薄膜在预设温度范围内经梯度亚胺化处理得到自催化低介电聚酰亚胺材料。本发明在聚酰亚胺分子结构中引入含氮六元芳杂环结构,利用氮气的孤对电子的吸引质子作用,产生催化效果,使得聚酰胺酸脱水环化过程温度需求降低。本发明在聚酰亚胺中引入大量的氟元素,可以有效降低材料介电常数。本发明制备的自催化低介电聚酰亚胺材料具备介电常数低、亚胺化温度低等特点。

    一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111995752A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010676305.X

    申请日:2020-07-14

    摘要: 本发明提供了一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法,包括以下步骤:将第一二元胺单体、第二二元胺单体及二元酐单体溶解于有机溶剂中,其中二元酐单体分批加入;经过一定时间反应制得聚酰胺酸溶液;将聚酰胺酸溶液旋转涂布,得到聚酰胺酸薄膜;再预设温度范围内经梯度亚胺化处理得到低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料。本发明实施例引入双炔基团作为感光源,一方面实现自增感的目的,另一方面所制得的光敏聚酰亚胺材料具备可观的机械性能以及热性能。另外,在光敏聚酰亚胺中引入大量的氟元素,可以有效降低材料介电常数及吸水率,更便于使用;本发明制备方法简单,可形成厚度均匀可控的薄膜材料。

    一种锑掺杂的二硫化钴负载石墨烯及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110911684A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911157502.4

    申请日:2019-11-22

    IPC分类号: H01M4/62 H01M4/58 H01M10/0525

    摘要: 本发明属于锂离子电池负极材料制备技术领域,公开了一种锑掺杂的二硫化钴负载石墨烯及其制备方法和应用,所述锑掺杂的二硫化钴负载石墨烯是将石墨烯水合物加入到可溶性钴盐和硫化剂的混合水溶液中,经搅拌后倒入锑盐的有机溶剂中,随后进行超声,并将所得的锑掺杂的混合溶液在100~300℃下反应后,随炉冷却,抽滤,冷冻干燥处理制得。本发明锑掺杂的二硫化钴负载石墨烯负极材料微观结构中存在规则柱状结构;该材料不仅具有优异的充放电循环性能和导电性能、高的倍率性能,而且稳定性较高,与铜箔的粘接性程度高,作为负极材料可应用在锂离子电池领域中。

    一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110903649A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911148544.1

    申请日:2019-11-21

    摘要: 本发明属于低介电材料领域,公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。该低介电聚酰亚胺薄膜是先将二元胺单体和二元酐单体分别溶解于有机溶剂中,反应得到聚酰胺酸溶液;用强碱性溶液溶解中空玻璃微球得到表面羟基化的中空玻璃微球,再将该表面羟基化的中空玻璃微球溶解于乙醇溶液中,加入表面改性剂,得到改性中空玻璃微球;将改性中空玻璃微球、聚四氟乙烯微粉和聚酰胺酸溶液在20~50℃进行搅拌,将所得混合溶液旋涂,得到聚酰胺酸薄膜,在100~400℃经梯度亚胺化处理制得。本发明聚酰亚胺薄膜的厚度均匀可控、介电常数低、介电损耗小,可应用于集成电路介电材料、5G通信天线材料领域。