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公开(公告)号：CN108563280B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810511655.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
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公开(公告)号：CN108646842A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810776453.1
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN106383542B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201611178235.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种非带隙无电阻CMOS基准源，属于模拟电路技术领域。包括阈值电压提取电路和基准电压产生电路，阈值电压提取电路提取NMOS阈值电压VTHN和PMOS阈值电压VTHP输入基准电压产生电路后产生基准电压VREF；本发明以阈值电压的负温特性为基础，利用NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的差值产生正温补偿电压，通过基准电压产生电路进行叠加，最终实现一个非带隙无电阻的基准电压源；不需要很大尺寸比的MOS器件，减小了电路设计难度；本发明不需要PN结和电阻，减小了版图面积，不会引入额外的噪声。
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公开(公告)号：CN107340796B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710721679.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使得基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入了高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本发明的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。
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公开(公告)号：CN107276060B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710451285.4
申请日：2017-06-15
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 一种浪涌电压动态抑制电路，属于电子电路技术领域。本发明的电路包括浪涌电压检测电路和动态吸波电路，浪涌电压检测电路实时检测芯片内部电源Vin的电压值，并将此值与设定的启动动态吸波电路的开启阈值VT进行比较，如果Vin＞VT，便会开启动态吸波电路，将Vin限制在正常的工作电压。本发明抑制了芯片中浪涌电压的产生，克服了传统用滤波大电容占用较大芯片面积的缺点；本发明可以根据实际需求自行设定浪涌电压抑制电路的启动电压值，检测到浪涌电压时自动抑制浪涌电压，将其降到合理的值，保护了芯片内部器件的安全工作；当浪涌电压特别严重时，可以额外的打开一条放电通路来抑制浪涌电压的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108563280A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810511655.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
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公开(公告)号：CN108536210A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810752568.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
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公开(公告)号：CN105242738B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510828318.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电源技术领域，具体的说涉及一种无电阻基准电压源。本发明提供的一种无电阻基准电压源，包括正温系数电流源模块、基准电压产生模块和衬底偏置电压调整模块；所述正温系数电流源模块和衬底偏置电压调整模块分别与基准电压产生模块连接；其中，正温度系数电流源模块产生正温系数电流给工作在饱和区的NMOS管MN4提供偏置电流；衬偏调整模块为该NMOS管MN4调整衬底偏置电压，进而起到调整阈值的作用；该NMOS的栅极和漏极接在一起，输出基准电压，克服工艺波动对基准源输出带来的影响。本发明的有益效果为，采用无电阻技术减小版图面积同时输出低基准电压源，还可有效提高基准电压源精度。
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公开(公告)号：CN208299692U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201821085808.4
申请日：2018-07-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种适用于电流模BUCK变换器的二次斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。包括自适应电流产生模块、一次斜坡产生模块和二次斜坡产生模块，自适应电流产生模块采集电流模BUCK变换器输入电压的信息，然后产生一个和输入电压成正比的电流信号，即自适应电流；一次斜坡产生模块用于将自适应电流产生模块产生的自适应电流信号转化为一个和时间成正比的电压信号；二次斜坡产生电路由跨导线性环将一次斜坡，即一次斜坡产生模块产生的电压信号转化为二次斜坡。本实用新型产生的斜坡补偿信号可以确保在全占空比范围内系统环路都能维持稳定并且具有一个固定的品质因数，从而具有快速的瞬态响应特性，同时也解决了小占空比时出现的过补偿问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207352505U
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201721080404.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本实用新型的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。
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