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公开(公告)号：CN115448612A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211124503.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C03C17/245
Abstract: 本发明公开了一种石英件防护处理方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一个石英件，将石英件清洗及烘干；步骤S2，将清洗后的石英件放入制备Al2O3层的设备中，在石英件表面形成一层Al2O3层；步骤S3，将预处理后的石英件投入生产使用。本发明使用制备Al2O3层的设备对LPCVD中使用的石英件进行一个预处理，在石英件表面生长或形成一层具有一定厚度的Al2O3薄膜，这层膜介于石英件与LPCVD工艺产物硅之间，成为接触区域的隔离层，有效的避免了石英件的二氧化硅材质与反应产物硅的直接接触，实现两者之间的柔性接触，利用Al2O3的柔性作用来保护石英件从而延长石英件的使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116613245B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310677446.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，在微负压条件下，利用LPCVD工艺在硅片表面沉积隧穿氧化层；所述微负压条件为300~700torr。本发明采用微负压沉积隧穿氧化层工艺，使得LPCVD工艺的整个反应过程中，反应腔室的压力保持低于大气压状态，无热气流经过炉门及密封圈，改善了反应室的密封性，避免反应室内的气体泄漏或者炉管外的空气混入反应室内，确保隧穿氧化层和非晶硅薄层的沉积质量，从而提高看了TOPcon电池的转换效率；同时，使后续的沉积非晶硅层工序中抽真空至低压工艺保持稳定状态，降低返工率，从而提高TOPcon电池中LPCVD直通率。
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公开(公告)号：CN118380510A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410804183.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/67 , H01L31/0216 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，属于太阳能电池技术和半导体技术领域。本发明针对原子层沉积(ALD)工艺进行了改进，由传统的单类型氧化铝膜层改变成多层氧化铝膜；具体地，至少满足如下至少一种情形：多层氧化铝膜中的底层膜含有的TMA的量高于顶层膜含有的TMA的量，和/或，多层氧化铝膜中的底层膜含有的H2O量低于顶层膜含有的H2O量。该方法相比现有多层氧化铝膜中H2O和TMA源量相当的方法能够获得性能更优的氧化铝膜层。
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公开(公告)号：CN116949429A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311221317.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C30B33/10 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 本发明属于气相沉积技术领域，尤其涉及一种提高ALD膜厚均匀性的方法。本发明膜制备过程包括如下步骤：将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理；通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理；通入铝前驱体，沉积于硅片表面；通入惰性保护气吹扫；通入水前驱体，用于与铝前驱体反应；通入惰性保护气，用于吹扫掉多余的水前驱体；重复上述步骤数次。在通入铝前驱体或者水前驱体的同时，通入一定量的惰性保护气，如氮气，这样氮气和铝前驱体或者水前驱体进入后混合，能够把反应气体均匀分散开来，就能够解决大产能反应腔室中部分位置量少的现象。
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公开(公告)号：CN116536771B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310789442.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C30B31/16 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种提高硼扩散均匀度的方法。包括如下步骤：S01.在反应腔室内放入插有硅片的石英舟，并进行前扩散步骤；S02.进行低压通源扩散步骤，低压通源扩散步骤包括：向反应腔室内同时通入三氯化硼，氧气及氮气；S03.在低压通源扩散步骤结束后，停止向反应腔室中通入三氯化硼，且通入氮气提升反应腔室内气压；S04.进行高压通源扩散步骤，高压通源扩散步骤包括：同时通入三氯化硼，氧气及氮气；本发明通过使用高低压力分步通入硼源，利用反应腔室高压和低压来控制硼源在腔室里流动的速度，从而扩散出整体高均匀度的方阻。并且本发明用工艺的方法弥补炉口炉尾方阻均匀度差的问题，机台可省略因抽气导致的反应腔加长的结构。
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公开(公告)号：CN116613245A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310677446.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，在微负压条件下，利用LPCVD工艺在硅片表面沉积隧穿氧化层；所述微负压条件为300~700torr。本发明采用微负压沉积隧穿氧化层工艺，使得LPCVD工艺的整个反应过程中，反应腔室的压力保持低于大气压状态，无热气流经过炉门及密封圈，改善了反应室的密封性，避免反应室内的气体泄漏或者炉管外的空气混入反应室内，确保隧穿氧化层和非晶硅薄层的沉积质量，从而提高看了TOPcon电池的转换效率；同时，使后续的沉积非晶硅层工序中抽真空至低压工艺保持稳定状态，降低返工率，从而提高TOPcon电池中LPCVD直通率。
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公开(公告)号：CN116404073B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310677409.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置，方法包括：步骤（1）：提供一个低压化学气相沉积室；低压化学气相沉积室内设有硅片载具、进气管和出气管，进气管位于硅片载具下方；进气管具有出气孔；步骤（2）：在靠近出气孔的硅片载具的底部与出气孔之间设置挡流板；步骤（3）：在硅片载具内放置硅片；抽真空至100 mtorr，并加热至600~650℃；通入氧气形成650torr的微负压，沉积隧穿氧化层；步骤（4）：再次抽真空至150mtorr，通入硅烷发生反应，沉积非晶硅薄膜。本发明通过采用微负压工艺及挡流板提高非晶硅薄膜的沉积均匀性，提高TOPCon电池的转换效率和外观良率。
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公开(公告)号：CN115274923B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210856578.1
申请日：2022-07-20
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺，包括以下步骤：步骤S1，在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体，在工艺腔室内形成真空恒温环境，目标温度为200‑300℃；步骤S2，在工艺腔室内循环通入O3气体，清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜；步骤S3，在工艺腔室内通入H2O蒸汽，在SiO2表面沉积形成钝化界面；步骤S4，在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽，生长出高钝化的Al2O3薄膜；步骤S5，吹扫破真空，完成工艺。本发明可有效的清除硅片表面的湿法残留，对提升电池Eta（转换效率）有明显作用。
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公开(公告)号：CN117352598A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311660248.6
申请日：2023-12-06
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种降低TopCon电池中多晶硅层十字隐裂率的方法，包括：步骤S.1：提供一个反应腔室，对反应腔室内部通入氮气并提升反应腔室温度；步骤S.2：将硅片随氮气输送至反应腔室内部；步骤S.3：停止氮气的通入，并对反应腔室内部进行抽真空至底压；步骤S.4：降低反应腔室内的温度，并向反应腔室内部通入氮气对硅片进行深度吹扫；步骤S.5：通入硅烷从而在硅片表面沉积多晶硅层。本申请中的技术方案通过针对性调整不同沉积步骤中的反应腔室温度以及在沉积多晶硅之前增加一个深度吹扫步骤，在上述两种技术方案的联用下，有效降低了TopCon电池中多晶硅层的十字隐裂发生率。
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公开(公告)号：CN116682893B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310937265.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了硅片正面与背面不同厚度的Al2O3薄膜的制备方法。基于双插硅片的管式原子层沉积法，本发明通过在待沉积Al2O3薄膜的硅片载具铝舟上设置有用于固定硅片位置的侧槽及底槽，沿着原子层沉积室的进气至出气方向，通过使每组定位齿杆的侧槽及底槽开口依次增大，使背面相对的2片硅片的背面距离沿着前驱体进气至出气方向逐渐增大，并在沉积薄膜的过程中加大N2的流量确保背面相对的2片硅片的背面距离，最终使硅片正面与背面分别制备得到厚度均匀的Al2O3薄膜，且硅片正面的Al2O3薄膜厚度大于硅片背面的Al2O3薄膜厚度。使用本发明制备得到的硅片片内正面、背面各自的Al2O3薄膜均匀性及批内均匀性较好。
