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公开(公告)号:CN110637400A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201880032645.X
申请日:2018-05-15
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 本申请实现一种半导体光元件,该半导体光元件兼顾散热和光限制,高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有:芯层,包括活性区域(1),该活性区域(1)包括化合物半导体;两个包层(5、6),注入电流至所述芯层;以及第三包层(4),构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大,折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小,带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。
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公开(公告)号:CN101682166A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880020819.7
申请日:2008-06-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02 , H01S3/10 , H01S5/0625
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/005 , H01S5/0085 , H01S5/026 , H01S5/4087 , H01S5/50 , H04B10/516 , H04B10/541 , H04B10/548 , H04B2210/517
Abstract: 本发明提供一种其动作速度不受激光器的驰豫振荡频率限制并能够进行高速调制和远距离传输的光调制信号产生装置。所述光调制信号产生装置将来自信号源的信号转换成光信号并将该光信号输出给具有散频特性的传输介质,包括:根据来自所述信号源的信号进行频率调制并产生仅具有频率调制成分的光信号的光源(102);以及将所述光信号的频率调制成分转换成强度调制成分和频率调制成分的滤频器(103)。
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